* Нагрев с помощью инфракрасной ксеноновой лампы, охлаждение воздухом;
* Управление температурой PlD для мощности лампы, которое может точно контролировать повышение температуры, обеспечивая хорошую воспроизводимость и равномерность температуры;
* Подача материала осуществляется на поверхность WAFER, чтобы избежать образования холодных точек во время отжига и обеспечить хорошую равномерность температуры продукта;
* Можно выбрать как методы обработки в атмосфере, так и в вакууме, с предварительной очисткой и подготовкой тела;
* Два набора процессных газов являются стандартными и могут быть расширены до шести наборов процессных газов;
* Максимальный размер измеряемого образца одно kristallиного кремния составляет 12 дюймов (300x300 мм);
* Три меры безопасности — защита от открытия при безопасной температуре, разрешение на открытие контроллера температуры и аварийная остановка оборудования для обеспечения безопасности прибора — полностью реализованы;