Решение для удаления фоторезиста с полупроводниковой пластины Россия

Время: 2024-06-28

Зачем удалять фоторезист?

В современных процессах производства полупроводников большое количество фоторезиста используется для переноса графики печатной платы за счет чувствительности и проявления маски и фоторезиста на фоторезист пластины, образуя на поверхности пластины специфическую фоторезистную графику. Затем под защитой фоторезиста завершается травление рисунка или ионная имплантация на нижнюю пленку или подложку пластины и полностью удаляется исходный фоторезист.

Дегуммирование — заключительный этап фотолитографии. После завершения графических процессов, таких как травление/ионная имплантация, оставшийся фоторезист на поверхности пластины выполнил функции переноса рисунка и защитного слоя и полностью удаляется в процессе отсоединения.

Удаление фоторезиста — очень важный этап в процессе микропроизводства. Будет ли фоторезист полностью удален и не повредит ли он образец, это напрямую повлияет на эффективность последующих процессов производства интегральных микросхем.

Решение для удаления фоторезиста с полупроводниковой пластины

Каковы процессы удаления полупроводникового фоторезиста?

Процесс удаления полупроводникового фоторезиста обычно делится на два типа: влажное удаление фоторезиста и сухое удаление фоторезиста. Мокрые дегуммирование можно разделить на две категории в зависимости от разницы в среде для дегуммирования: окислительное дегуммирование и рафинирование растворителем.

Сравнение различных методов удаления клея:

Метод дегуммирования	Окислительное рафинирование	Сухое расклеивание	Расгумирование растворителем
Основные принципы	Сильные окислительные свойства H₂SO₄/H₂O₂ окисляют основные компоненты C и H в фоторезисте до C0₂/H₂0₂, тем самым достигая цели отсоединения	Плазменная ионизация 0 ₂ образует свободный 0, который обладает сильной активностью и соединяется с C в фоторезисте, образуя C0 ₂. C0 извлекается вакуумной системой.	Специальные растворители набухают и разлагают полимеры, растворяют их в растворителе и достигают цели обесклеивания.
Основные области применения	Скоропортящийся металл, поэтому не подходит для рафинирования в процессах AI/Cu и других процессах.	Подходит для подавляющего большинства процессов дебондинга.	Подходит для процесса снятия клея после обработки металла.
Основные преимущества	Процесс относительно прост	Полностью удалите фоторезист, быстрая скорость	Процесс относительно прост
Основные недостатки	Неполное удаление фоторезиста, неподходящий процесс и низкая скорость отсоединения.	Легко загрязняется остатками реакции	Неполное удаление фоторезиста, неподходящий процесс и низкая скорость отсоединения.

Как видно из приведенного выше рисунка, сухое расклеивание подходит для большинства процессов раскрепления, при этом оно обеспечивает тщательное и быстрое расклеивание, что делает его лучшим методом среди существующих процессов раскрепления. Технология микроволновой дебондинга PLASMA также является разновидностью сухого дебондинга.

Машина для микроволнового раскрепления PLASMA компании Minder-Hightech оснащена первой отечественной технологией микроволнового генератора для разрыва полупроводников, оснащенной вращающейся рамой с магнитной жидкостью, что делает выход микроволновой плазмы более эффективным и равномерным. Он не только обладает хорошим эффектом разрыхления, но также позволяет добиться неразрушающего разрушения кремниевых пластин и других металлических устройств. И обеспечьте технологию двойного источника питания «микроволновое излучение + радиочастотное смещение» для удовлетворения различных потребностей клиентов.

Решение для удаления фоторезиста с полупроводниковой пластины