Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Главная страница
О НАС
MH Equipment
Решение
Зарубежные пользователи
Видео
СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
Главная> Решение> Обнаружение полупроводников

Ультразвуковое сканирующее микроскопическое решение для полупроводниковой промышленности

Time : 2025-02-27

Принцип ультразвукового контроля

Ультразвуковой преобразователь генерирует ультразвуковой импульс, который достигает испытуемого устройства через контактную среду (воду).

Из-за разницы акустического сопротивления ультразвуковая волна отражается на границе между различными материалами.

Ультразвуковой преобразователь получает отраженный эхо-сигнал и преобразует его в электрические сигналы.

Компьютер обрабатывает электрический сигнал и отображает форму волн или изображение.

Форма сканирования

A-скан: форма волны в определенной точке;

По горизонтальной оси указывается время появления волны;

Вертикальная ось показывает амплитуду волны.

 

Сканирование C: поперечное сечение;

Горизонтальная и вертикальная оси показывают физические размеры;

Цвет показывает амплитуду волны.

 

Сканирование B: продольное сечение;

Горизонтальная ось показывает физические размеры;

Вертикальная ось показывает время появления волны;

Цвет показывает амплитуду и фазу волны

Многослойное сканирование: выполняется многослойное сканирование C в направлении глубины образца.

Трансмиссионное сканирование: приемники добавляются к нижней части образца для сбора передаваемых звуковых волн для создания изображений.

Преимущества и ограничения обнаружения

Преимущества:

1. Ультразвуковое обнаружение применимо к широкому спектру материалов, включая металлы, неметаллы и композитные материалы;

2. Он может проникать через большинство материалов;

3. Очень чувствителен к изменениям на границе раздела;

4. Безвреден для человеческого организма и окружающей среды.

Ограничения:

1. Выбор формы волны относительно сложен;

2. Форма образца влияет на результаты обнаружения;

3. Положение и форма дефекта оказывают определенное влияние на результат обнаружения;

4. Материал и размер зерен образца сильно влияют на обнаружение.

 

Проверка качества сварки во время процесса загрузки пластин

Мониторинг во время запуска машины для загрузки пластин и процесса отладки для интуитивного обнаружения аномалий в различных параметрах и состояниях оборудования.

Высота и угол всасывающей головки;

Окисление и температура припоя;

Материал рамки выводов и материал чипа

Проверка качества сварки при загрузке чипа

Мониторинг во время запуска и отладки машины для загрузки чипов может интуитивно выявлять аномалии в различных параметрах и состояниях оборудования

Высота и угол всасывающей головки;

Окисление и температура припоя;

Материал рамки выводов и чипа

Пустоты в процессе сварки чипа приведут к недостаточной диссипации тепла при использовании устройства, что скажется на его сроке службы и надежности. Используя ультразвуковые методы контроля, дефекты пустот сварки можно быстро и эффективно выявить.

Пустоты сварки

Искривление кремниевых пластин

Чипсы из хлеба

Трещины в кремниевых пластинах

Обнаружение дефектов делимитации упаковки после процесса пластиковой оболочки

Ультразвуковой режим фазового сканирования для точной идентификации дефектов делимитации между эпоксидным пластиком и металлической рамой

Окисленная область после отслоения基本上 совпадает с красной областью

 

Обнаружение пустот и многослойное обнаружение более тонких упаковок

Случай обнаружения серии TO

Проверка всей платы

Проверка одного чипа

Типичный пример применения: поры в упаковке микросхем памяти

Типичный случай применения: дефект слоев микросхемы памяти

Другие тестовые случаи

Запрос Эл. почта WhatsApp WeChat
Top