Desktop-Rapid-Thermoprocessing-/RTP-SYSTEM Deutschland

RTP-Anlagen für Verbindungshalbleiter、SLC、LED und MEMS

Industrieanwendungen

Oxid- und Nitridwachstum

Ohmsche Kontakt-Schnelllegierung

Glühen einer Silizidlegierung

Oxidationsrückfluss

Galliumarsenid-Prozess

Andere schnelle Wärmebehandlungsverfahren

Feature:

Heizung mit Infrarot-Halogenlampenröhre, Kühlung mittels Luftkühlung;

PlD-Temperaturregelung für die Lampenleistung, die den Temperaturanstieg präzise steuern und so eine gute Reproduzierbarkeit und Temperaturgleichmäßigkeit gewährleisten kann;

Der Materialeinlass wird auf die WAFER-Oberfläche gesetzt, um die Entstehung kalter Stellen während des Glühprozesses zu vermeiden und eine gute Temperaturgleichmäßigkeit des Produkts sicherzustellen;

Zur Auswahl stehen sowohl atmosphärische als auch Vakuumbehandlungsmethoden mit Vorbehandlung und Reinigung des Körpers;

Zwei Sätze Prozessgase sind Standard und können auf bis zu 6 Sätze Prozessgase erweitert werden;

Die maximale Größe einer messbaren Probe aus Einkristall-Silizium beträgt 12 Zoll (300 x 300 mm).

Um die Sicherheit des Instruments zu gewährleisten, sind die drei Sicherheitsmaßnahmen Schutz vor sicherem Öffnen der Temperatur, Schutz vor Öffnungserlaubnis des Temperaturreglers und Not-Aus-Sicherheitsschutz für die Ausrüstung vollständig umgesetzt.

Testbericht:

Zusammentreffen von Kurven 20. Grades:

20 Kurven zur Temperaturregelung bei 850 ℃

Übereinstimmung von 20 Durchschnittstemperaturkurven

1250 ℃ Temperaturregelung

RTP-Temperaturregelung 1000 ℃ Prozess

960 ℃ Prozess, gesteuert durch Infrarot-Pyrometer

LED Prozessdaten

RTD Wafer ist ein Temperatursensor, der spezielle Verarbeitungstechniken verwendet, um Temperatursensoren (RTDs) an bestimmten Stellen auf der Oberfläche eines Wafers einzubetten und so eine Echtzeitmessung der Oberflächentemperatur auf dem Wafer zu ermöglichen.

 Über RTD Wafer lassen sich reale Temperaturmessungen an bestimmten Stellen auf dem Wafer sowie die allgemeine Temperaturverteilung des Wafers ermitteln. Darüber hinaus können damit vorübergehende Temperaturänderungen auf Wafern während des Wärmebehandlungsprozesses kontinuierlich überwacht werden.