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Startseite> PR-Entfernung RTP USC

Halbleiterwafer reinigen nach dem ICP-Plasmaversuch Entfernung von Photoresist Maschine

Produktbeschreibung

ICP Versuchsplasma Fotolack-Entfernungsmaschine

Polymer-Entfernung, Siliziumoxid- oder Siliciumkarbid-Etzung, Oberflächenreinigung nach dem Etzprozess

ASHING Polymerentfernung DESCUM Trockentemperatur der harten Maskenschicht Fotowiderstandsentfernung nach Ionenimplantation Entfernung des optischen Widerstands zwischen Medien Fotowiderstandsentfernung im BAW/SAW-Prozess Trockenreinigung der antireflektierenden grafischen Filmschicht Siliciumoxid- oder Siliciumnitridätzung Oberflächenrückstandsentfernung Oberflächenreinigung nach der Ätzung Siliciumcarbidätzung

Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine supplier

Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine factory

Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine details

Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine manufacture

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Spezifikation

Plasmaquelle			RF+BIAS
Leistung	1000 W	1000 W
Leistung		600W	600W
Anwendungsbereich			4-8 Zoll
Anzahl der einzeln zu verarbeitenden Scheiben			eins
Aussehende Abmessungen			1140mm x 1050mm x 1620mm
Systemsteuerung			Industrielle Steuerungssysteme
Automatisierungsgrad			Handbuch

Fabrik

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Verpackung & Lieferung

Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine supplier

Unternehmensprofil

16 Jahre Erfahrung im Geräteelexport! Wir können Ihnen eine integrierte Lösung für Halbleiter-Front-End-Prozesse und -Geräte bieten!

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