CVD-Ausrüstung für Graphen- und Kohlenstoffnanoröhrenmaterialien / Halbleiterausrüstung, China CVD-Ausrüstung für Graphen- und Kohlenstoffnanoröhrenmaterialien / Halbleiterausrüstung Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Beschreibung

CVD-Ausrüstung für Graphen- und Kohlenstoffnanoröhrenmaterialien

Die Ausrüstung wird hauptsächlich für die Prozessbeschichtung von Graphen und Nanomaterialien sowie für die Diffusion, Oxidation und Glühung von polykristallinem Silizium und Siliziumkarbid verwendet.

CVD-Ausrüstung für Graphen- und Kohlenstoffnanoröhrenmaterialien / Halbleiterausrüstungsfabrik

Normen

struktureller Stil	Horizontale, Einrohr- oder Mehrrohrsystem-Automatiksteuerung
Anpassung an Wafergröße	2-8 ″
Methode zur Lieferung und Abholung von Wafern	Automatisches freitragendes Quarz-Push-Pull-Boot, kombiniert mit manueller Chip-Entnahme und -Freigabe.
maximale Temperatur	1050 ℃
Arbeitstemperatur	400 ℃~850 ℃ stufenlos einstellbar
Einpunkt-Temperaturstabilität	400 °C bis 850 °C ≤ ± 0.5 °C/24 h
Systemgrenzvakuum	Besser als 1Pa
Pumpgeschwindigkeit	Pumpzeit bis zum Erreichen des Grenzvakuums ＜ 15Min
Arbeitsdruckbereich	5Pa bis 1 × 105Pa stufenlos regelbar
Energieversorgung	3-Phasen, 5-Leiter, 380 V ± 10 %, 50 Hz
kühlendes Wasser	2–4 kgf/cm², 8 l/min;

Verpackung & Lieferung

Unternehmensprofil

Wir verfügen über 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen professionelle Komplettlösungen für Semiconductor Front-End- und Back-End Package Line-Geräte aus China anbieten.