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Induktive Kopplungs-Plasma-Ätzanlage (ICP) Halbleiterausrüstung Deutschland

Beschreibung
Induktiv gekoppeltes Plasmaätzsystem (ICP)
Induktive Kopplungsplasma-Ätzanlage (ICP) Details zur Halbleiterausrüstung
Induktive Kopplungs-Plasma-Ätzsysteme (ICP) Lieferant von Halbleiterausrüstung
Induktive Kopplungs-Plasma-Ätzanlage (ICP) Halbleiterausrüstungsfabrik
Prozessergebnis

Quarz- / Silizium- / Gitterätzen

Durch die Verwendung einer BR-Maske zum Ätzen von Quarz- oder Siliziummaterialien weist das Gittermuster die dünnste Linie bis zu 300 nm auf und die Seitenwandsteilheit des Musters liegt bei nahezu > 89°, was für 3D-Displays, mikrooptische Geräte, optoelektronische Kommunikation usw. Anwendung finden kann.
Induktive Kopplungs-Plasma-Ätzanlage (ICP) Halbleiterausrüstungsfabrik

Verbindungs-/Halbleiterätzen

Durch genaue Kontrolle der Probenoberflächentemperatur kann die Ätzmorphologie von GaN-basierten, GaAs-, InP- und Metallmaterialien gut gesteuert werden. Es ist für blaue LED-Geräte, Laser, optische Kommunikation und andere Anwendungen geeignet.
Induktive Kopplungs-Plasma-Ätzsysteme (ICP) Halbleiterausrüstungsherstellung

Ätzen von Silizium-basierten Materialien

Es eignet sich zum Ätzen von Silizium-basierten Materialien wie Si, SiO2 und SiNx. Es kann Silizium-Linienätzen über 50 nm und Silizium-Tieflochätzen unter 100 µm realisieren.
Induktive Kopplungs-Plasma-Ätzanlage (ICP) Halbleiterausrüstungsfabrik
Normen
Projektkonfiguration und Maschinenstrukturdiagramm
Artikel
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Produktgröße
≤6 Zoll
≤8 Zoll
≤6 Zoll
≤8 Zoll
Benutzerdefiniert ≥ 12 Zoll
SRF Stromquelle
0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
BRF Stromquelle
0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
Molekularpumpe
Nicht korrosiv: 600 /1300 (L/s)/Benutzerdefiniert
Korrosionsschutz: 600/1300 (L./s)/Benutzerdefiniert
600/1300 (L/s) /Benutzerdefiniert
Vorpumpe
Mechanische Pumpe / Trockenpumpe
Korrosionsgeschützte Trockenpumpe
Mechanische Pumpe / Trockenpumpe
Vorpumpende Pumpe
Mechanische Pumpe / Trockenpumpe
Mechanische Pumpe / Trockenpumpe
Prozessdruck
Unkontrollierter Druck/0-0.1/1/10Torr kontrollierter Druck
Gasart
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom
(Bis zu 12 Kanäle, keine ätzenden und giftigen Gase)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Benutzerdefiniert (bis zu 12 Kanäle)
Gasherd
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
Laderaumverriegelung
Ja Nein
Ja
Probentemperaturkontrolle
10°C~Raumtemperatur/ -30°C~150°C /Benutzerdefiniert
-30°C bis 200°C/Benutzerdefiniert
Helium-Rückkühlung
Ja Nein
Ja
Prozesshohlraumauskleidung
Ja Nein
Ja
Temperaturkontrolle in Hohlwänden
Nein/Raumtemperatur-60/120°C
Raumtemperatur~60/120°C
Bar Systeme
Automatisch/benutzerdefiniert
Ätzmaterial
Silizium-Basis: Si/SiO2/
SiNx/SiC.....
Organische Materialien:PR/Organisch
Film......
Siliziumbasis: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Magnetisches Material / Legierungsmaterial
Metallische Werkstoffe: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Organische Materialien: PR/Organische Folie......
Silizium-Tiefenätzen
Verpackung & Lieferung
Induktive Kopplungs-Plasma-Ätzsysteme (ICP) Lieferant von Halbleiterausrüstung
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Unternehmensprofil
Wir verfügen über 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen professionelle Komplettlösungen für Semiconductor Front-End- und Back-End Package Line-Geräte aus China anbieten.
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Anfrage

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