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  • Induktiv gekoppeltes Plasma-Etzsystem (ICP) Halbleiterausrüstung
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Induktiv gekoppeltes Plasma-Etzsystem (ICP) Halbleiterausrüstung

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Produktbeschreibung
Induktiv gekoppeltes Plasma-Etchensystem (icp)
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Prozessergebnis

Quarz/Silizium/Gitter-Etchung

Verwendung einer BR-Maske zur Etchung von Quarz- oder Siliziummaterialien, das Gitterarraymuster hat die dünnste Linie bis zu 300nm und die Seitenwandsteilheit des Musters ist nahe an > 89°, was auf 3D-Display, Mikrooptikgeräte, optoelektronische Kommunikation usw. angewendet werden kann
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Verbund-/Halbleiter-Etchung

Genaue Kontrolle der Oberflächentemperatur der Probe kann die Etch-Morphologie von GaN-basierten, GaAs-, InP- und Metallmaterialien gut kontrollieren. Es eignet sich für blaue LED-Geräte, Lasers, optische Kommunikation und andere Anwendungen.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Etzen von siliziumbasierten Materialien

Es eignet sich für das Etching von siliconbasierten Materialien wie Si, SiO2 und SiNx. Es kann Silicon-Linien-Etching über 50nm und tiefes Silicon-Loch-Etching unter 100µm realisieren.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Spezifikation
Projektkonfiguration und Maschinenstrukturdiagramm
Artikel
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Produktgröße
≤6 Zoll
≤8 Zoll
≤6 Zoll
≤8 Zoll
Benutzerdefiniert≥12Zoll
SRF Stromquelle
0~1000W/2000W/3000W/5000W Verstellbar, automatische Anpassung\,13,56MHz/27MHz
BRF Stromquelle
0~300W/0~500W/0~1000W Verstellbar, automatische Anpassung,2MHz/13,56MHz
Molekularpumpe
Nicht korrosiv: 600/1300 (L/s) /Benutzerdefiniert
Korrosionsfest: 600/1300 (L/s) /Benutzerdefiniert
600/1300(L/s) /Benutzerdefiniert
Foreline-Pumpe
Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe
Antikorrosions-Trockenpumpe
Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe
Vorschalt-Pumpe
Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe
Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe
Prozessdruck
Ungeregelter Druck/0-0.1/1/10Torr geregelter Druck
Gasart
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Individuell
(Bis zu 12 Kanälen, keine korrosiven & toxischen Gase)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Individuell (Bis zu 12 Kanälen)
Gasbereich
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Individuell
LoadLock
Ja\/Nein
Ja
Proben-Temperaturregler
10°C~Raumtemperatur/-30°C~150°C/Benutzerdefiniert
-30°C~200°C/Benutzerdefiniert
Rückseitige Heliumkühlung
Ja\/Nein
Ja
Verarbeitungshohlraumverkleidung
Ja\/Nein
Ja
Hohlraumwand-Temperaturregelung
Nein/Raumtemperatur-60/120°C
Raumtemperatur~60/120°C
Kontrollsystem
Automatisch/benutzerdefiniert
Etchmaterial
Silicium-Basis: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Organische Materialien: PR/Organisch
Film......
Silicium-Basis: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Magnetisches Material / Legierungs-Material
Metallische Materialien: Ni/Ch/Al/Cu/Au...
Organische Materialien: PR/Organischer Film......
Tiefätzen von Silizium
Verpackung & Lieferung
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
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