Diese Ausrüstung wird hauptsächlich für die Entwicklung und Produktion von kleinen und mittleren integrierten Schaltungen, Halbleiterkomponenten und Oberflächenakustikwellenbauelementen verwendet. Aufgrund des fortschrittlichen Nivelliermechanismus und der geringen Nivellierkraft eignet sich diese Maschine nicht nur zur Belichtung verschiedener Arten von Substraten, sondern auch zur Belichtung leicht brüchiger Substrate wie Kalziumarsenid und Phosphatstahl sowie zur Belichtung nicht runder und kleiner Substrate.
Spezifikation
Haupttechnische Parameter
1. Belichtungsart: Kontaktsystem, Plattenausrichtung, einseitige Doppelbelichtung 2. Belichtungsfläche: 110X110mm; 3. Belichtungsuniformität: ≥ 97%; 4. Belichtungsintensität: 0-30mw/cm2 verstellbar; 5. UV-Strahlwinkel: ≤ 3 ° 6. Zentrale Wellenlänge des Ultraviolettlichts: 365nm; 7. Lebensdauer der UV-Lichtquelle: ≥ 20000 Stunden; 8. Arbeitsflächentemperatur: ≤ 30 ℃ 9. Verwendung eines elektronischen Verschlusses; 10. Auflösung der Belichtung: 1 μM (die Belichtungstiefe beträgt ungefähr das Zehnfache der Linienbreite) 11. Belichtungsmodus: Zweiseitige gleichzeitige Belichtung 12. Ausrichtungsbereich: x: ± 5mm Y: ± 5mm 13. Platten-Ausrichtungsgenauigkeit: 2 μm 14. Drehbereich: Q-Richtungs-Drehanpassung ≤ ± 5 ° 15. Mikroskop-System: Dualer CCD-Bildfeld-System, Okularlinsen 1,6X~10X, Computersystem zur Bildverarbeitung, 19" LCD-Monitor; Gesamtvergrößerung 91-570x 16. Maskengröße: Fähig, 5" quadratische Masken mit Vakuum zu absorbieren, ohne besondere Anforderungen an die Maskendicke (von 1 bis 3mm). 17. Substratgröße: Geeignet für 4" Substrate, mit Substratdicken von 0,1 bis 2mm. 18. Bei Bestellung gibt es keine speziellen Anforderungen, und ein 5" X5 Ablagefach ist Standard; Sie können Ablagefächer unter 5" X5 anpassen:
Verpackung & Lieferung
Unternehmensprofil
Wir haben 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen eine umfassende professionelle Lösung für Halbleiter-Ausrüstungen aus China sowohl für Front- als auch für Back-End-Bereiche bieten.
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