PECVD-plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidungsausrüstung / Hochtemperatur-PECVD-Prozess, China PECVD-plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidungsausrüstung / Hochtemperatur-PECVD-Prozess Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Beschreibung

PECVD Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage

◆ Die vollautomatische Steuerung von Prozesszeit, Temperatur, Gasfluss, Ventilwirkung und Reaktionskammerdruck erfolgt durch
Industrie-Computer.
◆ Es werden importierte Druckkontrollsysteme und geschlossene Kreislaufsysteme mit hoher Stabilität eingesetzt.
◆ Um die Luftdichtheit des Gaskreislaufs zu gewährleisten, werden importierte, korrosionsbeständige Rohrverbindungsstücke und Ventile aus Edelstahl verwendet.
◆ Es verfügt über eine perfekte Alarmfunktion und eine Sicherheitsverriegelung.
◆ Es verfügt über einen Alarm für extrem hohe Temperaturen, einen Alarm für Untertemperaturen, einen MFC-Alarm, einen Reaktionskammerdruckalarm, einen HF-Alarm, einen Alarm für niedrigen Druckluftdruck, einen Alarm für niedrigen N2-Druck und einen Alarm für niedrigen Kühlwasserdurchfluss.
◆ Das vorhandene PECVD hat die Funktion, nach dem Upgrade einen SiO2-Film zu züchten, wodurch das PID-Problem des Batteriemoduls gelöst wird. Es kann ein SiNxOy-Film gezüchtet werden (Rückpassivierungsprozess), wodurch die Umwandlungseffizienz der Batterie erheblich verbessert werden kann.

PECVD Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsausrüstung / Lieferant von Hochtemperatur-PECVD-Prozessen

PECVD Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsausrüstung / Hochtemperatur-PECVD-Prozessdetails

PECVD Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage / Hochtemperatur-PECVD-Prozessfabrik

Typ

◆ Lademenge: 384 Stück/Boot (125 * 125); 336 Stück/Boot (156 * 156)
◆ Sauberkeit der Reinigungstabelle: Klasse 100 (Klasse 10000 Anlage)
◆ Automatisierungsgrad: Automatische Steuerung von Temperatur und Prozess.
◆ Chip-Sende- und -Aufnahmemodus: Sanfter Landetyp mit stabilen und zuverlässigen Eigenschaften, kein Kriechen, genaue Positionierung, große Tragfähigkeit und lange Lebensdauer.

Normen

Maximale Beladung pro Rohr	384 Teile/Boot (125 x 125) 336 Teile/Boot (156 x 156)
Prozessindex	± 3 % in Tablette, ± 3 % zwischen Tabletten, ± 3 % zwischen Chargen
Arbeitstemperatur	200 ~ 500 ℃
Genauigkeit und Länge der Temperaturzone (statischer geschlossener Rohrtest)	1200 mm ± 1 °C
Genauigkeit des Gasflusses	± 1% FS
Luftdichtheit des Luftkreislaufsystems	1×10-7Pa.m³/S
Smartgeräte App	Vollständig importiertes automatisches Druckregelsystem mit geschlossenem Regelkreis, präzise Steuerung des Reaktionsvakuums; 40-kHz-Hochfrequenzleistung Versorgung; Sanfte Landung von Booten; Vollständige digitale Steuerung, perfekter und sicherer Prozesskontrollschutz.
1 Rohr, 2 Rohre, 3 Rohre und 4 Rohre sind optional; Der automatische Lademanipulator ist optional und die Geräteleistung und die Prozessleistung ist mit der weltweit besten Ausrüstung vergleichbar.

Verpackung & Lieferung

PECVD Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsausrüstung / Herstellung von Hochtemperatur-PECVD-Prozessen

Um die Sicherheit Ihrer Waren besser zu gewährleisten, werden professionelle, umweltfreundliche, bequeme und effiziente Verpackungsdienste angeboten.

Unternehmensprofil

Wir verfügen über 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen professionelle Komplettlösungen für Semiconductor Front-End- und Back-End Package Line-Geräte aus China anbieten.