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  • Reaktives Ionen-Etzsystem (RIE) Maschine für die Halbleiterindustrie
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Reaktives Ionen-Etzsystem (RIE) Maschine für die Halbleiterindustrie

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Produktbeschreibung

Angewandte Materialien:

Passivierungsschicht: SiO2, SiNx
Rücken-Silizium
Kleberschicht: TaN
Durchbruch: W

Funktion:

1. Ätzen der Passivierungsschicht mit oder ohne Löcher;
2. Strukturieren der Klebeschicht;
3. Rückseiten-Silizium-ätzen
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Spezifikation
Projektkonfiguration und Maschinenstrukturdiagramm
Artikel
MD150-RIE
MD200-RIE
MD200C-RIE
Produktgröße
≤6 Zoll
≤8 Zoll
≤8 Zoll
RF-Leistungsgenerator
0-300W/500W/1000W Einstellbar, automatische Abstimmung
Molekularpumpe
-\/620(L\/s)\/1300(L\/s)\/Custom
Antiseptisch620(L\/s)\/1300(L\/s)\/Custom
Foreline-Pumpe
Mechanische Pumpe\/trockene Pumpe
Trockenpumpe
Prozessdruck
Ungeregelter Druck\/0-1Torr geregelter Druck
Gasart
H\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/SF6\/CF4\/
CHF3\/C4F8\/NF3\/Custom
(Bis zu 9 Kanälen, keine korrosiven & giftigen Gase)
H2\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/F6\/CF4\/ CHF3\/C4F8\/NF3\/Cl2\/BCl3\/HBr(Bis zu 9 Kanälen)
Gasbereich
0~5sccm\/50sccm\/100sccm\/200sccm\/300sccm\/500sccm\/custom
LoadLock
Ja\/Nein
Ja
Proben-Temperaturregler
10°C~Raumtemperatur/-30°C~100°C/Benutzerdefiniert
-30°C~100°C/Benutzerdefiniert
Rückseitige Heliumkühlung
Ja\/Nein
Ja
Verarbeitungshohlraumverkleidung
Ja\/Nein
Ja
Hohlraumwand-Temperaturregelung
Nein/Raumtemperatur~60/120°C
Raumtemperatur-60/120°C
Kontrollsystem
Automatisch/benutzerdefiniert
Etchmaterial
Silicon-basiert: Si/SiO2/SiNx···
IV-IV: SiC
Magnetische Materialien/Legierungs-Materialien
Metallisches Material: Ni/Cr/Al/Au.....
Organisches Material: PR/PMMA/HDMS/Organisch
Film......
Silicon-basiert: Si/SiO2/SiNx......
III-V (Anm. 3): InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI (Anm. 3): CdTe......
Magnetische Materialien/Legierungs-Materialien
Metallisches Material: Ni/Cr/A1/Au......
Organische Materialien: PR/PMMA/HDMS /organischer Film...
Prozessergebnis

Etzen von siliziumbasierten Materialien

Siliciumbasierte Materialien, Nano-Imprint-Muster, Array
Muster und Linse-Muster-Ätzung
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InP-Normaltemperatur-Ätzung

Mustererosion von InP-basierten Geräten, die in der optischen Kommunikation verwendet werden, einschließlich Wellenleiterstruktur, Resonanzkavitätstruktur, Kammstruktur usw.
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SiC-Material-Ätzung

Geeignet für Mikrowellenbauelemente, Leistungsbauelemente etc.
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Physikalische Sputtering, Erosion organischer Materialien
Es wird für die Ätzung schwer zu ätzender Materialien wie einiger Metalle (z. B. Ni/Cr) und Keramiken angewendet sowie für die
gepatterte Ätzung von Materialien wird durch physikalisches Bombardement realisiert.
Es wird zur Ätzung und Entfernung von organischen Verbindungen wie Photoregistern (PR)/PMMA/HDMS/Polymer verwendet
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Verpackung & Lieferung
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Unternehmensprofil
Wir haben 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen eine umfassende professionelle Lösung für Halbleiter-Ausrüstungen aus China sowohl für Front- als auch für Back-End-Bereiche bieten.
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