Schnelle thermische Verarbeitung
RTP-Ausrüstung für Verbindungshalbleiter, SLC, LED und MEMS
* Oxid-, Nitridwachstum
* Ohmsche Kontaktschnelllegierung
* Glühen einer Silizidlegierung
* Oxidationsrückfluss
* Galliumarsenid-Prozess
* Andere schnelle Wärmebehandlungsverfahren
Vollautomatischer Doppelkammer-RTP
* Kompatibel mit 6-8 Zoll WAFER
* Die maximale Temperatur kann 1250 °C erreichen
* Stabile Temperaturreproduzierbarkeit
* Vollautomatisches Zweikammer-Design zur Steigerung der Produktionskapazität
* Gleichmäßigkeit des Ultrahochtemperaturfeldes
* Erfüllen Sie die Nachfrage nach SLC-Massenproduktionsprozessen
Halbautomatisches RTP
* Infrarot-Halogenlampenröhrenheizung, Kühlung mittels Luftkühlung;
* PlD-Temperaturregelung für die Lampenleistung, die den Temperaturanstieg genau steuern kann und so eine gute Reproduzierbarkeit und Temperaturgleichmäßigkeit gewährleistet;
* Der Materialeinlass wird auf die WAFER-Oberfläche gesetzt, um die Entstehung von Kältepunkten während des Glühprozesses zu vermeiden und eine gute Temperaturgleichmäßigkeit des Produkts sicherzustellen;
* Es können sowohl atmosphärische als auch Vakuumbehandlungsmethoden mit Vorbehandlung und Reinigung des Körpers ausgewählt werden.
* Zwei Sätze Prozessgase sind Standard und können auf bis zu 6 Sätze Prozessgase erweitert werden;
* Die maximale Größe einer messbaren Einkristall-Siliziumprobe beträgt 12 Zoll (300 x 300 mm).
* Die drei Sicherheitsmaßnahmen: Schutz vor sicherem Öffnen der Temperatur, Schutz vor Öffnungserlaubnis des Temperaturreglers und Not-Aus-Sicherheitsschutz für die Ausrüstung sind vollständig implementiert, um die Sicherheit des Instruments zu gewährleisten.
RTP für Desktop-Computer
* Infrarot-Halogenlampenröhrenheizung, Kühlung mittels Luftkühlung;
* PlD-Temperaturregelung für die Lampenleistung, die den Temperaturanstieg genau steuern kann und so eine gute Reproduzierbarkeit und Temperaturgleichmäßigkeit gewährleistet;
* Der Materialeinlass wird auf die WAFER-Oberfläche gesetzt, um die Entstehung von Kältepunkten während des Glühprozesses zu vermeiden und eine gute Temperaturgleichmäßigkeit des Produkts sicherzustellen;
* Es können sowohl atmosphärische als auch Vakuumbehandlungsmethoden mit Vorbehandlung und Reinigung des Körpers ausgewählt werden.
* Zwei Sätze Prozessgase sind Standard und können auf bis zu 6 Sätze Prozessgase erweitert werden;
* Die maximale Größe einer messbaren Einkristall-Siliziumprobe beträgt 12 Zoll (300 x 300 mm).
* Die drei Sicherheitsmaßnahmen: Schutz vor sicherem Öffnen der Temperatur, Schutz vor Öffnungserlaubnis des Temperaturreglers und Not-Aus-Sicherheitsschutz für die Ausrüstung sind vollständig implementiert, um die Sicherheit des Instruments zu gewährleisten.
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