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Halbleiterwafer Siliziumkarbid-Ätzen RIE Reaktives Ionenätzen Plasma-Fotolack-Entfernungsmaschine Deutschland

Beschreibung

RIE Plasma-Fotolack-Entfernungsmaschine

RIE-Plasma-Fotolack-Entfernungsmaschine, geeignet zum Ätzen von Siliziumkarbid, Entfernen von Oberflächenrückständen, Ätzen von Siliziumoxid oder Siliziumnitrid usw. Der Hohlraum ist für 4-8-Zoll-Proben geeignet
Siliziumkarbid-Ätzen
Oberflächenreinigung nach dem Ätzen
DESCUM
Hartmaskenschicht, trockene Entfernung
Ätzen von Siliziumoxid oder Siliziumnitrid
Beseitigung des optischen Widerstandes zwischen Medien
Entfernung von Oberflächenrückständen
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Normen
PLASMA-Quelle
RF
Power
ICP
_
BIAS
1000 W (Option)
Anwendbarer Umfang
4 ~ 8 Zoll
Anzahl einzelner Verarbeitungssegmente
1
Aussehen Abmessungen
850mmx900mmx1850mm
Systemkontrolle
PLC
Automatisierungsstufe
Manuell
Fabrik
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Verpackung & Lieferung
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Unternehmensprofil
16 Jahre Erfahrung im Geräteexport! Wir können Ihnen eine Komplettlösung für Halbleiter-Frontend-Prozesse und -Geräte bieten!
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