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Halbleiterwafer Siliciumcarbid-Etch RIE Reaktives Ionenetchen Plasma-Fotolack-Entfernungsgerät

Produktbeschreibung

RIE Plasma-Fotowiderstandsentfernungsmaschine

RIE Plasma-Fotowiderstandsentfernungsmaschine geeignet für Kohlenstoffsilizium-Ätzen, Oberflächenrestentfernung, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Ätzen usw. Die Kammer ist für 4-8 Zoll Proben geeignet

Siliciumcarbid-Ätzung
Oberflächenreinigung nach dem Ätzen
DESCUM
Hartes Maskenschicht, trockene Entfernung
Siliconoxid- oder Siliciumnitrid-Ätzung
Entfernung des optischen Widerstands zwischen Medien
Oberflächenrestverteilung

Semicondctor wafer Silicon carbide etching RIE Reactive Ion Etching Plasma Photoresist Removal Machine factory

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Spezifikation

Plasmaquelle			RF
Leistung	ICP	_
Leistung		BIAS	1000W (Option)
Anwendungsbereich			4~8 Zoll
Anzahl der einzeln zu verarbeitenden Scheiben			1
Aussehende Abmessungen			850mmx900mmx1850mm
Systemsteuerung			PLC
Automatisierungsgrad			Handbuch

Fabrik

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Verpackung & Lieferung

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Unternehmensprofil

16 Jahre Erfahrung im Geräteelexport! Wir können Ihnen eine integrierte Lösung für Halbleiter-Front-End-Prozesse und -Geräte bieten!

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