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Halbleiterindustrie ICP PLASMA PR-Entfernungsmaschine Entfernung von Fotolackrückständen Deutschland

Beschreibung

ICP PLASMA Fotolackentferner

VERASCHUNG
Polymerentfernung
Trockenes Entfernen der Hartmaskenschicht
Entfernung des Fotowiderstands nach Ionenimplantation
Fotowiderstandsentfernung im BAW/SAW-Prozess
Trockenreinigung der Antireflex-Grafikfilmschicht
Entfernung von Oberflächenrückständen
Oberflächenreinigung nach dem Ätzen
DESCUM
Halbleiterindustrie ICP PLASMA PR-Entfernungsmaschine Herstellung von Photoresist-Restentfernung
Prozess
Halbleiterindustrie ICP PLASMA PR-Entfernungsmaschine Fabrik zur Entfernung von Fotolackrückständen
Vorteil:

Kernvorteil

Hohe Entschleimungsrate: Hochdichtes Plasma, schnelle Entschleimungsrate
Stabilität: Nach Plasmabehandlung hohe Reproduzierbarkeit
Remote-Plasma: Remote-Plasma, geringe Ionenschädigung des Wafers
Vorgestellte Software: unabhängige Forschung und Entwicklung von Software, intuitive Prozessanimation, detaillierte Daten und Aufzeichnungen
Gleichmäßigkeit: Plasma kann Druck und Temperatur durch Absperrventil steuern
Sicherheitsfaktor: Niedriges Plasma reduziert Schäden an der Produktentladung.
After-Sales-Service: Schnelle Reaktion und ausreichender Lagerbestand
Staubkontrolle: Erfüllt die Kundenanforderungen.
Kerntechnologie: Mit fast 40 % der F&E-Teammitglieder

Kassettenplattform (MD-ST 6100/620)

1. 4 Waferträger
2. Hohe Kompatibilität: Die Flexibilität bei der Auswahl der Wafergröße bringt hohe Kosten und Lösungseffizienz
3. Vakuum-Transferkammer mit hoher Stabilität:
Das ausgereifte und stabile Vakuum-Getriebedesign wird seit vielen Jahren erfolgreich auf dem Markt eingesetzt und erfreut sich bei den Kunden großer Beliebtheit.
Plattenspieler-Design, kompakten Raum, deutlich reduziert das Risiko von PARTICAL
4. Benutzerfreundliche Software-Bedienoberfläche:
Intuitive, benutzerfreundliche Software-Bedienoberfläche, Echtzeitüberwachung des Maschinenbetriebsstatus;
Umfassende Alarm- und Narrensicherheitsfunktionen zur Vermeidung von Fehlbedienungen.
Leistungsstarke Datenexportfunktion, Aufzeichnungen verschiedener Prozessparameter und Export von Produktproduktionsaufzeichnungen.
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Roboter

1. Das einmalige Pick-and-Place-Design für Dual-Wafer sorgt für hohe Produktivität
2. Verbessern Sie die Raumeffizienz.
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Heizplatte

1. Waferplatte mit hochpräziser Temperaturregelung
Wafer-Heizplatte von Raumtemperatur bis 250 °C, Temperaturregelgenauigkeit ±1 °C
Die Wafer-Heizplatte wurde mit professionellen Instrumenten kalibriert und die Einheitlichkeit. Innerhalb von ±3 °C wird die Einheitlichkeit der Klebstoffentfernung sichergestellt
2. Einkammer-Doppelwafer-Verarbeitung
Einkammer-Doppelwafer-Design;
Unabhängiges Leistungsentladungsdesign für jeden Wafer, um sicherzustellen, dass jeder Wafer einen runden PR-Entfernungseffekt hat.
Unter der Prämisse, die UPH-Effizienz zu gewährleisten, senken Sie die Produktkosten. Starke Kompatibilität
3. Produktionskapazität: Reaktionskammer mit zweiteiligem Design, hohe Produktionseffizienz.
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Normen
PLASMA
RF
RF
Power
ICP
1000w
1000w
BIAS
600 W (Option)
600 W (Option)
Anwendbarer Umfang
4 ~ 8 Zoll
4 ~ 8 Zoll
Anzahl einzelner Verarbeitungssegmente
1
2
Aussehen Abmessungen
1080x1840x1800mm
1340x2050x1800mm
Systemkontrolle
Industrielle Steuerung
Industrielle Steuerung
Automatisierungsstufe
maschinell
maschinell
Hardware-Fähigkeit
Betriebszeit/Verfügbare Zeit
≧ 95%
Mittlere Reinigungszeit (MTTC)
≦6 Stunden
Mittlere Reparaturzeit (MTTR)
≦4 Stunden
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF)
≧350 Stunden
Mittlere Zeit zwischen Assistenten (MTBA)
≧24 Stunden
Mittlerer Waferbruchanteil (MWBB)
≦1 von 10,000 Wafern
Heizplattensteuerung
50-250 °
Test Report
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Fabrik-Ansicht
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Verpackung & Lieferung
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Unternehmensprofil
Wir verfügen über 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen eine Komplettlösung für Frontend- und Backend-Package-Line-Geräte für Halbleiter aus China anbieten!
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Anfrage

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