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  • Halbleiterindustrie ICP-PLASMA PR-Entfernungsmaschine Photoresist-Restentfernung
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Halbleiterindustrie ICP-PLASMA PR-Entfernungsmaschine Photoresist-Restentfernung

Produktbeschreibung

ICP PLASMA Photoresist-Entferner

Waschen
Polymerentfernung
Trockentrennung der harten Maskenschicht
Photoresist-Entfernung nach Ioneneintrag
Entfernung der Fotowiderständigkeit im BAW/SAW-Prozess
Trockenreinigung der antireflektierenden grafischen Filmschicht
Oberflächenrestverteilung
Oberflächenreinigung nach dem Ätzen
DESCUM
Semiconductor industry ICP PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal manufacture
Prozess
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Vorteil:

Kernvorteil

Hohe Entkernrate: Hochdichteplasma, schnelle Entkernrate
Stabilität: Nach Plasmabehandlung hohe Reproduzierbarkeit
Fernplasma: Fernplasma, geringe Ionschäden für die Wafer
Herausragende Software: Eigenentwicklung der Software, intuitive Prozessanimation, detaillierte Daten und Aufzeichnungen
Gleichmäßigkeit: Plasma kann durch Schmetterlingsventil Druck und Temperatur kontrollieren
Sicherheitsfaktor: Niedriges Plasma reduziert Schäden bei der Produktentladung.
Nachverkaufs-Service: Schnelle Reaktion und ausreichender Lagerbestand
Staubkontrolle: Erfüllt Kundenanforderungen.
Kerntechnologie: Mit fast 40 % der Mitglieder des Forschungs- und Entwicklungs-Teams

Cassette Plattform (MD-ST 6100/620)

1. 4 Waferschienen
2. Hohe Kompatibilität: Die Flexibilität der Wafergrößeauswahl führt zu hohen Kosten und Lösungseffizienz
3. Hochstabile Vakuumbewegungskammer:
Das reife und stabile Vakuumübertragungsdesign wird seit vielen Jahren reif auf dem Markt angewendet und wird von Kunden gut anerkannt.
Drehtisch-Design, kompakter Raum, erheblich reduziert das Risiko von PARTICAL
4. Mensch-zentrierte Software-Benutzeroberfläche:
Anschauliche mensch-zentrierte Software-Benutzeroberfläche, Echtzeitüberwachung des Maschinenlaufsstatus;
Umfassende Alarm- und Fehlersicherheitsfunktionen zur Vermeidung von Fehlbedienungen.
Leistungsstarke Datenausfuhrfunktion, Aufzeichnung verschiedener Prozessparameter und Ausfuhr der Produktionsaufzeichnungen.
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Roboter

1. Einmaliges Doppelwafer Greifen- und Plazieren-Design bringt hohe Produktivität
2. Verbesserung der Raumausnutzung.
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Heizplatte

1. Hochpräzise Temperaturregulierung der Waferplatte
Heizplatte für Wafer von Raumtemperatur bis 250°C, Temperaturregierungsgenauigkeit ±1°C
Die Heizplatte für Wafer wurde mit professionellen Instrumenten kalibriert, und die Homogenität beträgt innerhalb von ±3°C, um die Gleichmäßigkeit beim Klebstoffentfernen zu gewährleisten
2. Einraum-Dual-Wafer-Verarbeitung
Einraum-Dual-Wafer-Design;
Unabhängige Stromabgabe für jedes Wafer, um sicherzustellen, dass jeder Wafer einen gleichmäßigen PR-Entfernungseffekt aufweist;
Unter der Voraussetzung, dass die UPH-Effizienz gewährleistet ist, werden Produktkosten reduziert. Hohe Kompatibilität
3. Produktionskapazität: Reaktorkammer mit Doppel-Wafer-Design, hohe Produktions-effizienz.
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Spezifikation
Plasma
rF
rF
Leistung
ICP
1000 W
1000 W
BIAS
600w(Option)
600w(Option)
Anwendungsbereich
4~8 Zoll
4~8 Zoll
Anzahl der einzeln zu verarbeitenden Scheiben
1
2
Aussehende Abmessungen
1080x1840x1800mm
1340x2050x1800mm
Systemsteuerung
Industrielle Steuerungssysteme
Industrielle Steuerungssysteme
Automatisierungsgrad
Automatisch
Automatisch
Hardware-Fähigkeiten
Betriebszeit/Verfügbarkeit
≧95%
Durchschnittliche Reinigungsdauer (MTTC)
≦6 Stunden
Durchschnittliche Reparaturdauer (MTTR)
≦4 Stunden
Durchschnittliche Zeit zwischen Ausfällen (MTBF)
≧350 Stunden
Durchschnittliche Zeit zwischen Unterstützung (MTBA)
≧24 Stunden
Durchschnittliche Waferanzahl bis zum Bruch (MWBB)
≦1 in 10.000 Wafers
Heizplattensteuerung
50-250°
Testbericht
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Fabrikansicht
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Verpackung & Lieferung
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Unternehmensprofil
Wir haben 16 Jahre Erfahrung im Verkauf von Ausrüstungen. Wir können Ihnen eine umfassende Lösung für Halbleiter-Fertigung und -Verpackungslinien aus China bieten!
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