Halbleiterindustrie RIE-PLASMA PR-Entfernungsmaschine Photoresist-Restentfernung , China Halbleiterindustrie RIE-PLASMA PR-Entfernungsmaschine Photoresist-Restentfernung Manufacturers, Suppliers, Factory

Produktbeschreibung

RIE PLASMA Fotolackentferner

Siliciumcarbid-Ätzung
Oberflächenreinigung nach dem Ätzen
DESCUM
Hartes Maskenschicht, trockene Entfernung
Siliconoxid- oder Siliciumnitrid-Ätzung
Entfernung des optischen Widerstands zwischen Medien
Oberflächenrestverteilung

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal details

Prozess

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal factory

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal manufacture

Vorteil:

Kernvorteil

Hohe Entkernrate: Hochdichteplasma, schnelle Entkernrate
Stabilität: Nach Plasmabehandlung hohe Reproduzierbarkeit
Fernplasma: Fernplasma, geringe Ionschäden für die Wafer
Herausragende Software: Eigenentwicklung der Software, intuitive Prozessanimation, detaillierte Daten und Aufzeichnungen
Gleichmäßigkeit: Plasma kann durch Schmetterlingsventil Druck und Temperatur kontrollieren
Sicherheitsfaktor: Niedriges Plasma reduziert Schäden bei der Produktentladung.
Nachverkaufs-Service: Schnelle Reaktion und ausreichender Lagerbestand
Staubkontrolle: Erfüllt Kundenanforderungen.
Kerntechnologie: Mit fast 40 % der Mitglieder des Forschungs- und Entwicklungs-Teams

Cassette Plattform (MD-ST 6100/620)

1. 4 Waferschienen
2. Hohe Kompatibilität: Die Flexibilität der Wafergrößeauswahl führt zu hohen Kosten und Lösungseffizienz
3. Hochstabile Vakuumbewegungskammer:
Das reife und stabile Vakuumübertragungsdesign wird seit vielen Jahren reif auf dem Markt angewendet und wird von Kunden gut anerkannt.
Drehtisch-Design, kompakter Raum, erheblich reduziert das Risiko von PARTICAL
4. Mensch-zentrierte Software-Benutzeroberfläche:
Anschauliche mensch-zentrierte Software-Benutzeroberfläche, Echtzeitüberwachung des Maschinenlaufsstatus;
Umfassende Alarm- und Fehlersicherheitsfunktionen zur Vermeidung von Fehlbedienungen.
Leistungsstarke Datenausfuhrfunktion, Aufzeichnung verschiedener Prozessparameter und Ausfuhr der Produktionsaufzeichnungen.

Roboter

1. Einmaliges Doppelwafer Greifen- und Plazieren-Design bringt hohe Produktivität
2. Verbesserung der Raumausnutzung.

Heizplatte

1. Hochpräzise Temperaturregulierung der Waferplatte
Heizplatte für Wafer von Raumtemperatur bis 250°C, Temperaturregierungsgenauigkeit ±1°C
Die Heizplatte für Wafer wurde mit professionellen Instrumenten kalibriert, und die Homogenität beträgt innerhalb von ±3°C, um die Gleichmäßigkeit beim Klebstoffentfernen zu gewährleisten
2. Einraum-Dual-Wafer-Verarbeitung
Einraum-Dual-Wafer-Design;
Unabhängige Stromabgabe für jedes Wafer, um sicherzustellen, dass jeder Wafer einen gleichmäßigen PR-Entfernungseffekt aufweist;
Unter der Voraussetzung, dass die UPH-Effizienz gewährleistet ist, werden Produktkosten reduziert. Hohe Kompatibilität
3. Produktionskapazität: Reaktorkammer mit Doppel-Wafer-Design, hohe Produktions-effizienz.

Spezifikation

Plasmaquelle			rF
Leistung	ICP	_
Leistung		BIAS	1000W (Option)
Anwendungsbereich			4~8 Zoll
Anzahl der einzeln zu verarbeitenden Scheiben			1
Aussehende Abmessungen			850mmx900mmx1850mm
Systemsteuerung			PLC
Automatisierungsgrad			Handbuch

Hardware-Fähigkeiten
Betriebszeit/Verfügbarkeit	≧95%
Durchschnittliche Reinigungsdauer (MTTC)	≦6 Stunden
Durchschnittliche Reparaturdauer (MTTR)	≦4 Stunden
Durchschnittliche Zeit zwischen Ausfällen (MTBF)	≧350 Stunden
Durchschnittliche Zeit zwischen Unterstützung (MTBA)	≧24 Stunden
Durchschnittliche Waferanzahl bis zum Bruch (MWBB)	≦1 in 10.000 Wafers
Heizplattensteuerung	50-250°

Testbericht

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal supplier

Fabrikansicht

Verpackung & Lieferung

Unternehmensprofil

Wir haben 16 Jahre Erfahrung im Verkauf von Ausrüstungen. Wir können Ihnen eine umfassende Lösung für Halbleiter-Fertigung und -Verpackungslinien aus China bieten!