¿Cuál es el propósito de un sistema de procesamiento térmico rápido (RTP) en el proceso de fabricación de obleas?

RTP utiliza lámparas infrarrojas halógenas como fuente de calor para calentar rápidamente el material a la temperatura deseada, mejorando así la estructura cristalina y las propiedades optoelectrónicas del material.

Entre sus características destacan alta eficiencia, ahorro energético, alto grado de automatización y calentamiento uniforme.

Además, RTP también tiene una alta precisión de control de temperatura y uniformidad de temperatura, lo que puede satisfacer las necesidades de varios procesos complejos.

Además, RTP adopta un sistema de control de microcomputadora avanzado y tecnología de control de temperatura de circuito cerrado PID, tiene alta precisión de control de temperatura y uniformidad de temperatura, y puede satisfacer las necesidades de varios procesos complejos.

Al utilizar fuentes de calor eficientes, como lámparas infrarrojas halógenas, para calentar rápidamente la oblea a una temperatura predeterminada, se pueden eliminar algunos defectos dentro de la oblea y se puede mejorar su estructura cristalina y su rendimiento optoelectrónico.

Este control de temperatura de alta precisión es muy importante para la calidad de la oblea y puede mejorar eficazmente el rendimiento y la confiabilidad de la oblea.

En el proceso de fabricación de obleas, la aplicación de RTP incluye, entre otros, los siguientes aspectos:

1. Optimización de la estructura cristalina:

La alta temperatura ayuda a reorganizar la estructura cristalina, eliminar defectos de la estructura cristalina, mejorar el orden del cristal y, por lo tanto, mejorar la conductividad electrónica de los materiales semiconductores.

2. Eliminación de impurezas:

El RTP puede promover la difusión de impurezas de los cristales semiconductores, reduciendo la concentración de impurezas. Esto ayuda a mejorar las propiedades electrónicas de los dispositivos semiconductores y a reducir los niveles de energía o la dispersión de electrones causada por las impurezas.

3. En la tecnología CMOS, se puede utilizar RTP para eliminar materiales de sustrato como óxido de silicio o nitruro de silicio para formar dispositivos SOI (aislante sobre silicio) ultradelgados.

El RTP es un equipo clave en el proceso de fabricación de semiconductores, caracterizado por su alta precisión, alta eficiencia y alta flexibilidad. Es de gran importancia para mejorar el rendimiento de las obleas y promover el desarrollo de la industria de semiconductores.