¿Cuál es el uso del horno de recocido rápido en el proceso de fabricación de wafer?

El horno de recocido rápido utiliza una lámpara de halogenuro infrarrojo como fuente de calor para calentar el material a la temperatura requerida mediante un calentamiento rápido, con el fin de mejorar la estructura cristalina y las propiedades ópticoeléctricas del material.

Sus características incluyen alta eficiencia, ahorro de energía, alto grado de automatización y calentamiento uniforme.

Además, el horno de recocido rápido también tiene una alta precisión de control de temperatura y uniformidad térmica, lo que puede satisfacer las necesidades de varios procesos complejos.

El horno de recocido rápido utiliza un avanzado sistema de control por microcomputadora, combinado con la tecnología de control de temperatura en bucle cerrado PID, para garantizar una alta precisión de control de temperatura y uniformidad térmica.

La tasa de calentamiento extremadamente rápida se logra mediante fuentes de calor eficientes como lámparas de infrarrojo halógeno, y la wafer se calienta rápidamente a una temperatura predeterminada, con el fin de eliminar algunos defectos en la wafer y mejorar su estructura cristalina y propiedades optoelectrónicas.

Este control de temperatura de alta precisión es muy importante para la calidad de la wafer y puede mejorar efectivamente el rendimiento y la fiabilidad de la wafer.

En el proceso de fabricación de wafers, la aplicación del horno de recocido rápido incluye, pero no se limita, a los siguientes aspectos:

1. Optimización de la estructura cristalina: la alta temperatura contribuye al reordenamiento de la estructura cristalina, elimina defectos de red y mejora el orden de los cristales, lo que aumenta la conductividad electrónica de los materiales semiconductores.

2. Eliminación de impurezas: el recocido rápido RTP a alta temperatura puede promover la difusión de impurezas desde los cristales semiconductor y reducir la concentración de impurezas.

Esto ayuda a mejorar las propiedades electrónicas de los dispositivos semiconductor y reduce los niveles de energía o la dispersión de electrones causada por las impurezas.

3. Eliminación del sustrato: en el proceso CMOS, se pueden utilizar hornos de recocido rápido para eliminar materiales de sustrato, como óxido de silicio o nitruro de silicio, para formar dispositivos SOI (aislante sobre silicio) ultradelgados.