هدف از سیستم پردازش حرارتی سریع (RTP) در فرآیند تولید ویفر چیست؟

RTP از لامپ های مادون قرمز هالوژن به عنوان منبع گرما برای گرم کردن سریع مواد تا دمای مورد نظر استفاده می کند و در نتیجه ساختار کریستالی و خواص اپتوالکترونیکی مواد را بهبود می بخشد.

از ویژگی های آن می توان به راندمان بالا، صرفه جویی در انرژی، درجه بالای اتوماسیون و گرمایش یکنواخت اشاره کرد.

علاوه بر این، RTP همچنین دارای دقت کنترل دما و یکنواختی دما است که می تواند نیازهای فرآیندهای پیچیده مختلف را برآورده کند.

علاوه بر این، RTP از سیستم کنترل میکرو کامپیوتر پیشرفته و فناوری کنترل دمای حلقه بسته PID استفاده می کند، دارای دقت کنترل دما و یکنواختی دما است و می تواند نیازهای فرآیندهای پیچیده مختلف را برآورده کند.

با استفاده از منابع گرمای کارآمد مانند لامپ های مادون قرمز هالوژن برای گرم کردن سریع ویفر تا دمای از پیش تعیین شده، می توان برخی از عیوب داخل ویفر را از بین برد و ساختار کریستالی و عملکرد اپتوالکترونیکی آن را بهبود بخشید.

این کنترل دما با دقت بالا برای کیفیت ویفر بسیار مهم است و می تواند عملکرد و قابلیت اطمینان ویفر را به طور موثر بهبود بخشد.

در فرآیند ساخت ویفر، کاربرد RTP شامل جنبه‌های زیر است، اما محدود به آن نیست:

1. بهینه سازی ساختار کریستالی:

دمای بالا به تنظیم مجدد ساختار کریستالی، از بین بردن عیوب ساختار کریستالی، بهبود نظم کریستال و در نتیجه بهبود رسانایی الکترونیکی مواد نیمه هادی کمک می کند.

2. حذف ناخالصی:

RTP می تواند انتشار ناخالصی های کریستال های نیمه هادی را تقویت کند و غلظت ناخالصی ها را کاهش دهد. این به بهبود خواص الکترونیکی دستگاه های نیمه هادی و کاهش سطح انرژی یا پراکندگی الکترون ناشی از ناخالصی ها کمک می کند.

3. در فناوری CMOS، از RTP می توان برای حذف مواد زیرلایه مانند اکسید سیلیکون یا نیترید سیلیکون برای تشکیل دستگاه های بسیار نازک SOI (عایق روی سیلیکون) استفاده کرد.

RTP یک تجهیزات کلیدی در فرآیند تولید نیمه هادی است که با دقت بالا، راندمان بالا و انعطاف پذیری بالا مشخص می شود. برای بهبود عملکرد ویفر و ترویج توسعه صنعت نیمه هادی اهمیت زیادی دارد.