Le RTP utilise des lampes infrarouges halogènes comme source de chaleur pour chauffer rapidement le matériau à la température souhaitée, améliorant ainsi la structure cristalline et les propriétés optoélectroniques du matériau.
Ses caractéristiques comprennent une efficacité élevée, des économies d’énergie, un degré élevé d’automatisation et un chauffage uniforme.
De plus, le RTP présente également une précision de contrôle de température élevée et une uniformité de température, ce qui peut répondre aux besoins de divers processus complexes.
De plus, RTP adopte un système de contrôle par micro-ordinateur avancé et une technologie de contrôle de température en boucle fermée PID. Il présente une précision de contrôle de température et une uniformité de température élevées et peut répondre aux besoins de divers processus complexes.
En utilisant des sources de chaleur efficaces telles que des lampes infrarouges halogènes pour chauffer rapidement la plaquette à une température prédéterminée, certains défauts à l'intérieur de la plaquette peuvent être éliminés et sa structure cristalline et ses performances optoélectroniques peuvent être améliorées.
Ce contrôle de température de haute précision est très important pour la qualité de la plaquette et peut améliorer efficacement les performances et la fiabilité de la plaquette.
Dans le processus de fabrication de plaquettes, l'application du RTP comprend, sans s'y limiter, les aspects suivants :
1. Optimisation de la structure cristalline :
La température élevée aide à réorganiser la structure cristalline, à éliminer les défauts de structure cristalline, à améliorer l'ordre du cristal et ainsi à améliorer la conductivité électronique des matériaux semi-conducteurs.
2. Élimination des impuretés :
Le RTP peut favoriser la diffusion des impuretés des cristaux semi-conducteurs, réduisant ainsi la concentration d'impuretés. Cela contribue à améliorer les propriétés électroniques des dispositifs semi-conducteurs et à réduire les niveaux d'énergie ou la diffusion des électrons causés par les impuretés.
3. Dans la technologie CMOS, le RTP peut être utilisé pour éliminer les matériaux du substrat tels que l'oxyde de silicium ou le nitrure de silicium afin de former des dispositifs SOI (isolant sur silicium) ultra-minces.
Le RTP est un équipement clé dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, caractérisé par une haute précision, une grande efficacité et une grande flexibilité. Il est d'une grande importance pour améliorer les performances des plaquettes et promouvoir le développement de l'industrie des semi-conducteurs.
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