Mi a célja a Rapid Thermal Processing (RTP) rendszernek az ostyagyártási folyamatban?

Az RTP halogén infravörös lámpákat használ hőforrásként, hogy gyorsan felmelegítse az anyagot a kívánt hőmérsékletre, ezáltal javítva az anyag kristályszerkezetét és optoelektronikai tulajdonságait.

Jellemzői a nagy hatásfok, az energiatakarékosság, a magas fokú automatizálás és az egyenletes fűtés.

Ezenkívül az RTP magas hőmérséklet-szabályozási pontossággal és hőmérséklet-egyenletességgel is rendelkezik, amely különféle összetett folyamatok igényeit képes kielégíteni.

Ezenkívül az RTP fejlett mikroszámítógépes vezérlőrendszert és PID zárt hurkú hőmérséklet-szabályozási technológiát alkalmaz, magas hőmérséklet-szabályozási pontossággal és hőmérséklet-egyenletességgel rendelkezik, és megfelel a különféle összetett folyamatok igényeinek.

Hatékony hőforrások, például halogén infravörös lámpák használatával az ostyát egy előre meghatározott hőmérsékletre gyorsan felmelegítik, az ostya belsejében lévő hibák kiküszöbölhetők, valamint kristályszerkezete és optoelektronikai teljesítménye javítható.

Ez a nagy pontosságú hőmérsékletszabályozás nagyon fontos az ostya minősége szempontjából, és hatékonyan javíthatja az ostya teljesítményét és megbízhatóságát.

Az ostyagyártás folyamatában az RTP alkalmazása a következő szempontokat foglalja magában, de nem kizárólagosan:

1. Kristályszerkezet optimalizálás:

A magas hőmérséklet segít a kristályszerkezet átrendezésében, a kristályszerkezeti hibák kiküszöbölésében, a kristály rendezettségének javításában, ezáltal a félvezető anyagok elektronikus vezetőképességének javításában.

2. Szennyeződés eltávolítása:

Az RTP elősegítheti a szennyeződések diffúzióját a félvezető kristályokból, csökkentve a szennyeződések koncentrációját. Ez segít javítani a félvezető eszközök elektronikus tulajdonságait, és csökkenteni az energiaszintet vagy a szennyeződések okozta elektronszórást.

3. A CMOS technológiában az RTP felhasználható a szubsztrátum anyagok, például a szilícium-oxid vagy a szilícium-nitrid eltávolítására, így ultravékony SOI (szigetelő szilícium) eszközöket képezhet.

Az RTP a félvezető gyártási folyamat kulcsfontosságú berendezése, amelyet nagy pontosság, nagy hatékonyság és nagyfokú rugalmasság jellemez. Nagy jelentőségű a lapka teljesítményének javítása és a félvezetőipar fejlődésének elősegítése szempontjából.