Perché i wafer semiconduttori devono rimuovere il photoresist?
Nelle fasi di produzione dei semiconduttori, viene utilizzata una grande quantità di photoresist per trasferire le grafiche della scheda elettronica attraverso la sensibilità e lo sviluppo della maschera e del photoresist al wafer photoresist, formando grafiche specifiche di photoresist sulla superficie del wafer. Successivamente, sotto la protezione del photoresist, si completa l'incisione a pattern o l'implantazione ionica sul film inferiore o sul substrato del wafer, e si rimuove completamente il photoresist originale.
La rimozione del photoresist è l'ultimo passo nel processo di litografia. Dopo il completamento delle fasi grafiche come incisione / implantazione ionica, il photoresist rimanente sulla superficie del wafer ha completato le funzioni di trasferimento del pattern e di strato protettivo, e viene rimosso completamente attraverso il processo di rimozione del photoresist.
La rimozione del fotoresist è un passaggio molto importante nel processo di microfabbricazione. Se il fotoresist viene rimosso completamente e se causa danni alla wafer influenzerà direttamente il successivo processo di produzione dei chip di circuito integrato.
Quali sono i processi per la rimozione del fotoresist nei semiconduttori?
A parte la differenza nei mezzi fotoresist, può essere divisa in due categorie: rimozione per ossidazione e rimozione con solvente.
Confronto tra vari metodi di rimozione dell'adesivo:
Metodo di rimozione del fotoresist
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Rimozione del fotoresist per ossidazione
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Rimozione a secco del fotoresist
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Rimozione del fotoresist con solvente
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Principi principali |
Le forti proprietà ossidanti dell'H 2 - 2 - Sì. 4 - - - /H 2 - 2 O 2 - 2 ossidare i componenti principali C e H nella fotoresist a C0 2 - 2 /H 2 - 2 0 2 - 2 , raggiungendo così lo scopo dello staccamento |
Ionenizzazione del plasma di 0 2 - 2 forma libero 0, che ha un'alta attività e si combina con il C nella fotoresist per formare C0 2 - 2 . Il C0 viene estratto dal sistema a vuoto |
Solventi speciali gonfiano e decompongono i polimeri, li dissolvono nel solvente e raggiungono lo scopo dello sgommanatura |
Principali aree di applicazione |
Metallo deperibile, quindi non adatto per lo sgommanatura nei processi AI/Cu e altri |
Adatto per la maggior parte dei processi di staccamento |
Adatto per il processo di staccamento dopo la lavorazione dei metalli |
Principali vantaggi |
Il processo è relativamente semplice |
Rimuovere completamente il photoresist, alta velocità |
Il processo è relativamente semplice |
Principali svantaggi |
Rimozione incompleta del photoresist, processo inadeguato e lenta velocità di staccaggio |
Facile da contaminare con residui di reazione |
Rimozione incompleta del photoresist, processo inadeguato e lenta velocità di staccaggio |
Come si può vedere dalla figura sopra, lo staccaggio secco è adatto per la maggior parte dei processi di staccaggio, con una rimozione completa e veloce, rendendolo il miglior metodo tra quelli esistenti. La tecnologia di staccaggio a microonde PLASMA è anche un tipo di staccaggio secco.
Il nostro dispositivo a microonde PLASMA per la rimozione della colla photoresist, dotato della prima tecnologia nazionale di generatore semiconduttore per la rimozione del photoresist a microonde, configura il supporto rotante a flusso magnetico per rendere la plasma a microonde più efficiente e con un output uniforme. Fornisce la tecnologia a "doppia potenza" a base di microonde e RF per dispositivi metallici e wafer di silicio per soddisfare le esigenze di diversi clienti.
Microwave PLASMA Macchina per la rimozione della fotoresist
① La plasma di molecole di radicali liberi non ha polarizzazione e non causa danni elettrici;
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③ La rivista può essere configurata con un telaio rotante e, attraverso un progetto ECR ragionevole e una buona regolazione del flusso di gas, è possibile ottenere una uniformità relativamente alta;
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