Qual è l'utilizzo del forno di annealing rapido nel processo di produzione dei wafer?

Il forno di annealing rapido utilizza una lampada a infrarossi allogenati come fonte di calore per riscaldare il materiale alla temperatura richiesta attraverso un riscaldamento rapido, al fine di migliorare la struttura cristallina e le proprietà ottico-elettroniche del materiale.

Le sue caratteristiche includono alta efficienza, risparmio energetico, alto grado di automazione e riscaldamento uniforme.

Inoltre, il forno di annealing rapido ha anche una precisione elevata nel controllo della temperatura e un'elevata uniformità termica, in grado di soddisfare le esigenze di vari processi complessi.

Il forno di annealing rapido utilizza un avanzato sistema di controllo microinformatico, combinato con la tecnologia di controllo della temperatura a ciclo chiuso PID, per garantire una precisione elevata nel controllo della temperatura e un'elevata uniformità termica.

La velocissima velocità di riscaldamento viene raggiunta attraverso fonti di calore efficienti come lampade infrarosse a halogeno, e la wafer viene rapidamente riscaldata a una temperatura prestabilita, al fine di eliminare alcuni difetti nella wafer e migliorarne la struttura cristallina e le proprietà ottico-elettroniche.

Questo controllo della temperatura ad alta precisione è molto importante per la qualità della wafer e può migliorare efficacemente le prestazioni e la affidabilità della wafer.

Nel processo di fabbricazione delle wafer, l'applicazione del forno di annealing rapido include ma non è limitata ai seguenti aspetti:

1. Ottimizzazione della struttura cristallina: la temperatura elevata contribuisce al riarrangiamento della struttura cristallina, elimina i difetti di rete e migliora l'ordine dei cristalli, migliorando così la conducibilità elettronica dei materiali semiconduttori.

2. Rimozione di impurità: il trattamento a rapida annealing RTP ad alta temperatura può promuovere la diffusione di impurità dai cristalli semiconduttori e ridurre la concentrazione di impurità.

Questo aiuta a migliorare le proprietà elettroniche dei dispositivi semiconduttori e a ridurre i livelli di energia o lo scattering degli elettroni causati dalle impurità.

3. Rimozione del substrato: nel processo CMOS, si possono utilizzare forni di rapida annealing per rimuovere materiali del substrato, come ossido di silicio o nitruro di silicio, per formare dispositivi SOI (isolante su silicio) ultra-sottili.