מהי המטרה של מערכת עיבוד תרמי מהיר (RTP) בתהליך ייצור פרוסות? יִשְׂרָאֵל

RTP משתמש במנורות הלוגן אינפרא אדום כמקור חום כדי לחמם במהירות את החומר לטמפרטורה הרצויה, ובכך לשפר את מבנה הגביש ואת התכונות האופטואלקטרוניות של החומר.

תכונותיו כוללות יעילות גבוהה, חיסכון באנרגיה, רמה גבוהה של אוטומציה וחימום אחיד.

בנוסף, ל-RTP יש גם דיוק בקרת טמפרטורה ואחידות טמפרטורה גבוהה, שיכולים לענות על הצרכים של תהליכים מורכבים שונים.

בנוסף, RTP מאמצת מערכת בקרת מיקרו-מחשב מתקדמת וטכנולוגיית בקרת טמפרטורה בלולאה סגורה PID, יש לה דיוק בקרת טמפרטורה ואחידות טמפרטורה גבוהה, והוא יכול לענות על הצרכים של תהליכים מורכבים שונים.

על ידי שימוש במקורות חום יעילים כגון מנורות אינפרא אדום הלוגן כדי לחמם במהירות את הפרוסה לטמפרטורה קבועה מראש, ניתן לבטל כמה פגמים בתוך הפרוסה, ולשפר את מבנה הגביש והביצועים האופטואלקטרוניים שלו.

בקרת טמפרטורה ברמת דיוק גבוהה חשובה מאוד לאיכות הפרוסה ויכולה לשפר ביעילות את הביצועים והאמינות של הפרוסה.

בתהליך ייצור פרוסות, היישום של RTP כולל אך אינו מוגבל להיבטים הבאים:

1. אופטימיזציה של מבנה קריסטל:

טמפרטורה גבוהה עוזרת לסדר מחדש את מבנה הגביש, להעלים פגמים במבנה הגבישי, לשפר את הסדר של הגביש, ובכך לשפר את המוליכות האלקטרונית של חומרים מוליכים למחצה.

2. הסרת טומאה:

RTP יכול לקדם דיפוזיה של זיהומים מגבישים מוליכים למחצה, להפחית את ריכוז הזיהומים. זה עוזר לשפר את התכונות האלקטרוניות של התקני מוליכים למחצה ולהפחית את רמות האנרגיה או פיזור האלקטרונים הנגרם על ידי זיהומים.

3. בטכנולוגיית CMOS, ניתן להשתמש ב-RTP להסרת חומרי מצע כגון תחמוצת סיליקון או סיליקון ניטריד ליצירת התקני SOI (מבודד על סיליקון) דקים במיוחד.

RTP הוא ציוד מרכזי בתהליך ייצור המוליכים למחצה, המאופיין בדייקנות גבוהה, יעילות גבוהה וגמישות גבוהה. יש לו משמעות רבה לשיפור ביצועי הפרוסים וקידום הפיתוח של תעשיית המוליכים למחצה.