Wat is het doel van een Rapid Thermal Processing (RTP)-systeem in het waferproductieproces? Nederland

RTP gebruikt halogeen-infraroodlampen als warmtebron om het materiaal snel op te warmen tot de gewenste temperatuur. Hierdoor worden de kristalstructuur en de opto-elektronische eigenschappen van het materiaal verbeterd.

De kenmerken zijn onder meer een hoge efficiëntie, energiebesparing, hoge mate van automatisering en gelijkmatige verwarming.

Bovendien beschikt RTP over een hoge nauwkeurigheid bij de temperatuurregeling en temperatuuruniformiteit, waardoor aan de behoeften van verschillende complexe processen kan worden voldaan.

Bovendien maakt RTP gebruik van een geavanceerd microcomputerregelsysteem en PID-gesloten-lustemperatuurregeltechnologie. Het heeft een hoge temperatuurregelnauwkeurigheid en temperatuuruniformiteit en kan voldoen aan de behoeften van verschillende complexe processen.

Door gebruik te maken van efficiënte warmtebronnen, zoals halogeen-infraroodlampen, om de wafer snel op te warmen tot een vooraf bepaalde temperatuur, kunnen bepaalde defecten in de wafer worden verholpen en kunnen de kristalstructuur en opto-elektronische prestaties worden verbeterd.

Deze uiterst nauwkeurige temperatuurregeling is van groot belang voor de kwaliteit van de wafer en kan de prestaties en betrouwbaarheid van de wafer effectief verbeteren.

Bij de productie van wafers worden onder meer de volgende aspecten van RTP toegepast:

1. Optimalisatie van de kristalstructuur:

Hoge temperaturen helpen de kristalstructuur te herschikken, kristalstructuurdefecten te elimineren, de orde van het kristal te verbeteren en zo de elektronische geleidbaarheid van halfgeleidermaterialen te verbeteren.

2. Verwijdering van onzuiverheden:

RTP kan de diffusie van onzuiverheden van halfgeleiderkristallen bevorderen, waardoor de concentratie van onzuiverheden wordt verminderd. Dit helpt de elektronische eigenschappen van halfgeleiderapparaten te verbeteren en energieniveaus of elektronenverstrooiing veroorzaakt door onzuiverheden te verminderen.

3. In de CMOS-technologie kan RTP worden gebruikt om substraatmaterialen zoals siliciumoxide of siliciumnitride te verwijderen om ultradunne SOI-apparaten (isolator op silicium) te vormen.

RTP is een belangrijke uitrusting in het halfgeleiderproductieproces, gekenmerkt door hoge precisie, hoge efficiëntie en hoge flexibiliteit. Het is van groot belang voor het verbeteren van waferprestaties en het bevorderen van de ontwikkeling van de halfgeleiderindustrie.