Urządzenia PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) / Proces PECVD w wysokich temperaturach , China Urządzenia PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) / Proces PECVD w wysokich temperaturach Manufacturers, Suppliers, Factory

Opis produktu

PECVD Urządzenie do chemicznego nanoszenia par w obecności plazmy

◆ Pełna automatyczna kontrola czasu procesu, temperatury, przepływu gazu, działania zaworu i ciśnienia w komorze reakcyjnej jest realizowana za pomocą
komputera przemysłowego.
◆ Zastosowano zaimportowany system kontroli ciśnienia i system pętli zamkniętej, zapewniający wysoką stabilność.
◆ Użyto zaimportowanych odpornych na korozyję elementów rurociągów i zastawek z nierdzewnej stali, aby zagwarantować szczelność układu gazowego.
◆ Posiada doskonałą funkcję alarmującą oraz urządzenie bezpieczeństwa z blokadą.
◆ Ma alarm przegrzania, alarm temperatury poniżej normy, alarm MFC, alarm ciśnienia w komorze reakcyjnej, alarm RF, alarm niskiego ciśnienia powietrza skompresowanego, alarm niskiego ciśnienia N2 oraz alarm niskiego przepływu wody chłodniczej.
◆ Istniejące PECVD po ulepszeniu ma funkcję wzrostu warstwy SiO2, co rozwiązuje problem PID modułu baterii. Można również wytworzyć warstwę SiNxOy (proces pasywacji tylniej), co znacząco poprawia efektywność przekształcania baterii.

PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process supplier

PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process details

PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory

Typ

◆ Ilość ładunkowa: 384 sztuki/żagwi (125 * 125); 336 sztuk/żagwi (156 * 156)
◆ Czystość stołu oczyszczającego: Klasy 100 ( Zakład klasy 10 000 )
◆ Stopień automatyzacji: automatyczne sterowanie temperaturą i procesem.
◆ Tryb wysyłania i pobierania czypów: typ miękkiego lądowania, z charakterystyką stabilną i niezawodną, bez pełzania, dokładne pozycjonowanie, duża zdolność nośna i długie życie użytkowe.

Specyfikacja

Maksymalne ładowanie na rurę	384 sztuk/łódź (125125) 336 sztuk/łódź (156156)
Indeks procesu	± 3% w tablecie, ± 3% między tabletami, ± 3% między partiami
Temperatura pracy	200~500℃
Dokładność i długość strefy temperatury (test statyczny zamkniętej rury)	1200mm±1℃
Dokładność przepływu gazu	±1%FS
Ciasnotrwałość układu obwodowego	1×10-7Pa·m³/S
Kontrola	Całkowicie zaimportowany automatyczny system regulacji zamkniętej pętli ciśnienia, precyzyjne sterowanie próżnią reakcji; 40KHz zasilanie wysokoczęstotliwościowe; Miękki lądowanie statku kosmicznego; Pełne cyfrowe sterowanie, doskonała i bezpieczna ochrona kontrolowana procesem. Możliwość wyboru: 1 rura, 2 rury, 3 rury i 4 rury; Opcjonalny automatyczny manipulator ładowania, a wydajność urządzenia i wydajność procesowa mogą być porównywane z najlepszymi podobnymi urządzeniami na świecie.
Opcjonalne są wersje z 1, 2, 3 lub 4 rurami; Opcjonalny automatyczny manipulator ładowania, a wydajność urządzenia oraz wydajność procesowa mogą być porównywane z najlepszymi podobnymi urządzeniami na świecie.

Pakowanie i Dostawa

PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process manufacture

Aby lepiej zapewnić bezpieczeństwo Twoich towarów, będą świadczone profesjonalne, przyjazne dla środowiska, wygodne i efektywne usługi pakowania.

Profil Firmy

Mamy 16-letnie doświadczenie w sprzedaży urządzeń. Możemy zapewnić Ci kompleksowe rozwiązania w zakresie profesjonalnych linii pakowania półprzewodników z Chin, zarówno dla etapu początkowego, jak i końcowego.