Qual é o uso do forno de recristalização rápida no processo de fabricação de wafers?

O forno de recristalização rápida utiliza lâmpada halógena de infravermelho como fonte de calor para aquecer o material à temperatura necessária através de aquecimento rápido, a fim de melhorar a estrutura cristalina e as propriedades fotoelétricas do material.

Suas características incluem alta eficiência, economia de energia, alto grau de automação e aquecimento uniforme.

Além disso, o forno de recozimento rápido também possui alta precisão no controle de temperatura e uniformidade térmica, o que pode atender às necessidades de vários processos complexos.

O forno de recozimento rápido utiliza um avançado sistema de controle por microcomputador, combinado com a tecnologia de controle de temperatura em malha fechada PID, para garantir alta precisão no controle de temperatura e uniformidade térmica.

A taxa extremamente rápida de aquecimento é alcançada através de fontes de calor eficientes, como lâmpadas halógenas de infravermelho, e o disco é rapidamente aquecido até uma temperatura pré-determinada, a fim de eliminar alguns defeitos no disco e melhorar sua estrutura cristalina e propriedades optoeletrônicas.

Este controle de temperatura de alta precisão é muito importante para a qualidade do disco e pode melhorar eficazmente o desempenho e a confiabilidade do disco.

No processo de fabricação de discos, a aplicação do forno de recozimento rápido inclui, mas não se limita aos seguintes aspectos:

1. Otimização da estrutura cristalina: a alta temperatura contribui para a reorganização da estrutura cristalina, elimina defeitos de rede e melhora a ordem dos cristais, melhorando assim a condutividade eletrônica dos materiais semicondutores.

2. Remoção de impurezas: o revestimento térmico rápido (RTP) em alta temperatura pode promover a difusão de impurezas fora dos cristais semicondutores e reduzir a concentração de impurezas.

Isso ajuda a melhorar as propriedades eletrônicas dos dispositivos semicondutores e reduzir os níveis de energia ou a dispersão de elétrons causados por impurezas.

3. Remoção do substrato: no processo CMOS, fornos de recristalização rápida podem ser usados para remover materiais de substrato, como óxido de silício ou nitreto de silício, formando dispositivos SOI (isolante sobre silício) ultrafinos.