Prozesslösungen für Plasmaätzen und -abscheidung Deutschland

Radierung:

Für Ätzprozesse stehen zwei Elektroden zur Verfügung:

■ Elektrode mit großem Temperaturbereich (-150 °C bis +400 °C), gekühlt durch flüssigen Stickstoff, flüssiges Kühlmittel oder variablen Temperaturwiderstand. Optionale Spül- und Flüssigkeitsaustauscheinheit zum automatischen Umschalten des Prozessmodus.

■ Flüssigkeitsgesteuerte Elektrode, versorgt durch Umwälzkühleinheit.

Ablage:

Für die Auswahl des Abscheidungsprozesses stehen zwei Elektroden zur Verfügung:

• ICP-CVD-Elektroden liefern hochwertige Filme, die bei Temperaturen von Raumtemperatur bis 250 °C gewachsen sind.
• PECVD-Geräte können mit Widerstandsheizelektroden mit einer Maximaltemperatur von 400 °C konfiguriert werden.

Reaktives Ionenätzen (RIE)

RIE ist eine einfache und kostengünstige Plasmaätzlösung mit gängigen Anwendungen wie Maskenätzen und Fehleranalyse.

RIE-Funktionen:

• Festkörper-HF-Generator und eng gekoppeltes Anpassungsnetzwerk für schnelles und synchrones Ätzen.
• Der vollflächige Sprühgaseinlass sorgt für eine gleichmäßige Gasverteilung.
• Der Elektrodentemperaturbereich liegt zwischen -150 °C und +400 °C.
• Eine starke Pumpleistung sorgt für ein breiteres Prozessdruckfenster.
• Wafer-Druckplatte mit Helium-Rückkühlung für optimale Wafer-Temperaturkontrolle.

Induktiv gekoppeltes Plasmaätzen (ICP)

Die ICP-Ätzquelle erzeugt hochdichte aktive reaktive Ionen bei niedrigem Druck.

Funktionen des ICP-Ätzens:

• Verbinden Sie die Kammer über einen gleichmäßigen Pfad mit hoher Leitfähigkeit, um reaktive Partikel an das Substrat zu liefern. Verwenden Sie dazu Prozesse mit hohem Gasfluss und halten Sie dabei den niedrigen Gasdruck aufrecht.
• Die Elektroden sind für einen Temperaturbereich von -150 °C bis +400 °C geeignet und mit Helium-Rückkühlung sowie einer Reihe mechanischer Druckplattenkonstruktionen ausgestattet.
• Überlegene Hardware- und Steuerungssysteme, die den Anforderungen schneller Ätzprozesse wie beispielsweise Bosch-Prozessen gerecht werden.
• Stellen Sie 60- und 250-mm-Ätzquellen bereit, um verschiedenen Wafergrößen und Radikal-/Ionen-Verhältnissen gerecht zu werden und die Prozessanforderungen flexibel abzustimmen.

Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD):

Die PECVD-Prozessmodule sind speziell dafür ausgelegt, dünne Filme mit hervorragender Gleichmäßigkeit und hohen Abscheidungsraten zu erzeugen und die Materialeigenschaften der Filme, wie etwa Brechungsindex, Spannung, elektrische Eigenschaften und Nassätzraten, zu verändern.

PECVD-Funktionen:

• In-situ-Hohlraumreinigungstechnologie mit Endpunkterkennung
• Eine Vielzahl von geerdeten Elektroden sind erhältlich

Die optimierte obere Elektrode, die unter Hochspannung, hoher HF-Leistung und hohen Durchflussbedingungen arbeitet, kann die Abscheidungsrate von SiO2, Si3N4, SiON und amorphem Si beschleunigen und gleichzeitig die Filmleistung und Wafergleichmäßigkeit sicherstellen.

Ein HF-Prozessgasgerät mit entsprechendem Gaszufuhrdesign sorgt durch einen LF/RF-Schalter für einen gleichmäßigen Plasmaprozess und steuert dadurch die Filmspannung präzise.

Chemische Gasphasenabscheidung mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP/CVD)

Das ICP/CVD-Prozessmodul wird zum Abscheiden hochwertiger dünner Filme mittels hochdichter Plasmakonzentration bei niedrigem Abscheidungsdruck und niedriger Temperatur verwendet.

ICP/CVD-Funktionen:

• Niedrige Temperatur, geringe Beschädigung, hochwertige Filmabscheidung.
• Bei niedrigeren Temperaturen können Filme mit geringer Beschädigung abgeschieden werden, darunter: SiO₂, Ob ₃N4, SiON, Si, SiC und die Substrattemperatur kann bis zu 20 °C betragen.
• Die Größe der ICP-Quelle beträgt 300 mm, wodurch eine Prozessgleichmäßigkeit für Wafer bis zu 200 mm erreicht werden kann.
• Der Temperaturbereich der Elektrode beträgt -150°C bis 400°C.
• In-situ-Hohlraumreinigungstechnologie mit Endpunkterkennung.