Was ist der Zweck eines RTP-Systems (Rapid Thermal Processing) im Waferherstellungsprozess?

RTP verwendet Halogen-Infrarotlampen als Wärmequelle, um das Material schnell auf die gewünschte Temperatur zu erhitzen und so die Kristallstruktur und die optoelektronischen Eigenschaften des Materials zu verbessern.

Zu seinen Merkmalen zählen hohe Effizienz, Energieeinsparung, hoher Automatisierungsgrad und gleichmäßige Erwärmung.

Darüber hinaus verfügt RTP auch über eine hohe Temperaturregelgenauigkeit und Temperaturgleichmäßigkeit, wodurch die Anforderungen verschiedener komplexer Prozesse erfüllt werden können.

Darüber hinaus verwendet RTP ein fortschrittliches Mikrocomputer-Steuerungssystem und eine PID-Temperaturregelungstechnologie mit geschlossenem Regelkreis. Es verfügt über eine hohe Temperaturregelungsgenauigkeit und Temperaturgleichmäßigkeit und kann die Anforderungen verschiedener komplexer Prozesse erfüllen.

Durch die Verwendung effizienter Wärmequellen, wie beispielsweise Halogen-Infrarotlampen, zum schnellen Erhitzen des Wafers auf eine vorgegebene Temperatur können einige Defekte im Inneren des Wafers beseitigt und seine Kristallstruktur sowie optoelektronische Leistung verbessert werden.

Diese hochpräzise Temperaturregelung ist für die Qualität des Wafers sehr wichtig und kann die Leistung und Zuverlässigkeit des Wafers effektiv verbessern.

Im Prozess der Waferherstellung umfasst die Anwendung von RTP die folgenden Aspekte, ist aber nicht auf diese beschränkt:

1. Optimierung der Kristallstruktur:

Hohe Temperaturen tragen dazu bei, die Kristallstruktur neu anzuordnen, Kristallstrukturdefekte zu beseitigen, die Ordnung des Kristalls zu verbessern und somit die elektronische Leitfähigkeit von Halbleitermaterialien zu steigern.

2. Entfernung von Verunreinigungen:

RTP kann die Diffusion von Verunreinigungen aus Halbleiterkristallen fördern und so die Konzentration von Verunreinigungen verringern. Dies trägt dazu bei, die elektronischen Eigenschaften von Halbleiterbauelementen zu verbessern und durch Verunreinigungen verursachte Energieniveaus oder Elektronenstreuung zu verringern.

3. In der CMOS-Technologie kann RTP verwendet werden, um Substratmaterialien wie Siliziumoxid oder Siliziumnitrid zu entfernen, um ultradünne SOI-Geräte (Isolator auf Silizium) zu bilden.

RTP ist ein Schlüsselgerät im Halbleiterherstellungsprozess und zeichnet sich durch hohe Präzision, hohe Effizienz und hohe Flexibilität aus. Es ist von großer Bedeutung für die Verbesserung der Waferleistung und die Förderung der Entwicklung der Halbleiterindustrie.