Welchen Nutzen hat der Rapid-Annealing-Ofen im Wafer-Fertigungsprozess?

Der schnelle Annealföhn verwendet eine Halogen-Infrarotlampe als Wärmequelle, um das Material durch schnelles Erhitzen auf die erforderliche Temperatur zu bringen, um damit die Kristallstruktur und die Optoelektronik-Eigenschaften des Materials zu verbessern.

Zu seinen Merkmalen gehören hohe Effizienz, Energieeinsparung, hohes Maß an Automatisierung und gleichmäßiges Erhitzen.

Darüber hinaus verfügt der Rückschlagofen auch über eine hohe Temperaturregengenauigkeit und -gleichmäßigkeit, die verschiedene komplexe Prozesse abdecken können.

Der Rückschlagofen nutzt ein fortschrittliches Mikrocomputersystem, kombiniert mit PID-Schleifen-Temperaturregelungstechnologie, um eine hohe Temperaturregengenauigkeit und -gleichmäßigkeit zu gewährleisten.

Die extrem schnelle Erwärmungsrate wird durch effiziente Wärmekraftquellen wie Halogen-Infrarotlampen erreicht, und die Wafer werden schnell auf eine vorgegebene Temperatur erhitzt, um einige Mängel in der Wafer zu beseitigen und deren Kristallstruktur und Optoelektronik-Eigenschaften zu verbessern.

Diese hochpräzise Temperaturregelung ist von großer Bedeutung für die Qualität der Wafer und kann deren Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit wirksam steigern.

Im Herstellungsprozess der Wafer umfasst die Anwendung des Rückschlagofens, aber nicht nur, die folgenden Aspekte:

1. Optimierung der Kristallstruktur: Hohe Temperaturen tragen zur Umstrukturierung der Kristallstruktur bei, beseitigen Gitterdefekte und verbessern die Ordnung der Kristalle, wodurch die elektronische Leitfähigkeit von Halbleitermaterialien gesteigert wird.

2. Unreinigkeitsentfernung: Hohe Temperaturen bei RTP-Schnellglühen können die Diffusion von Unreinheiten aus den Halbleiterkristallen fördern und die Konzentration der Unreinheiten verringern.

Dies trägt dazu bei, die elektronischen Eigenschaften von Halbleiterbauelementen zu verbessern und die Energiepegel oder Elektronenscattering, das durch Unreinheiten verursacht wird, zu reduzieren.

3. Substratentfernung: Im CMOS-Prozess können Schnellglühöfen verwendet werden, um Substratmaterialien wie Siliziumoxid oder Siliziumnitrid zu entfernen, um ultradünne SOI (Isolator auf Silizium)-Bauelemente herzustellen.