Soluciones para procesos de deposición y grabado de plasma

Aguafuerte:

Hay dos electrodos disponibles para los procesos de grabado:

■ Electrodo con amplio rango de temperatura (-150 °C a +400 °C), enfriado por nitrógeno líquido, refrigerante líquido circulante o resistencia de temperatura variable. Unidad de purga e intercambio de líquido opcional para cambiar automáticamente el modo de proceso.

■ Electrodo controlado por líquido suministrado por unidad de enfriamiento circulante.

Declaración:

Hay dos electrodos disponibles para la selección del proceso de deposición:

• Los electrodos ICP CVD proporcionan películas de alta calidad cultivadas desde temperatura ambiente hasta 250 °C.
• Los equipos PECVD pueden configurarse con electrodos de calentamiento resistivos, con una temperatura máxima de 400°C.

Grabado de iones reactivos (RIE)

RIE es una solución de grabado de plasma simple y económica, con aplicaciones comunes como el grabado de máscaras y el análisis de fallas.

Características de RIE:

• Generador de RF de estado sólido y red de adaptación estrechamente acoplada para un grabado rápido y sincrónico.
• La entrada de gas de pulverización de área completa garantiza una distribución uniforme del gas.
• El rango de temperatura del electrodo es de -150 ℃ a +400 ℃.
• La fuerte capacidad de bombeo proporciona una ventana de presión de proceso más amplia.
• Placa de presión de oblea con enfriamiento posterior con helio para un control óptimo de la temperatura de la oblea.

Grabado por plasma acoplado inductivamente (ICP)

La fuente de grabado ICP produce iones reactivos activos de alta densidad a baja presión.

Características del grabado ICP:

• Conectar la cámara a través de una ruta uniforme de alta conductancia para entregar partículas reactivas al sustrato, utilizando procesos de alto flujo de gas mientras se mantiene una baja presión de gas.
• Los electrodos son adecuados para temperaturas que oscilan entre -150 ℃ y +400 ℃, están equipados con enfriamiento posterior con helio y una serie de diseños de placas de presión mecánicas.
• Sistemas de hardware y control superiores para satisfacer las necesidades de procesos de grabado rápido, como los procesos de Bosch.
• Proporciona fuentes de grabado de 60 y 250 mm para cumplir con diferentes tamaños de obleas y relaciones radicales/iones, y adaptarse de manera flexible a los requisitos del proceso.

Deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD):

Los módulos del proceso PECVD están diseñados específicamente para producir películas delgadas con excelente uniformidad y altas tasas de deposición, y para modificar las propiedades materiales de las películas, como el índice de refracción, la tensión, las propiedades eléctricas y las tasas de grabado húmedo.

Características del PECVD:

• Tecnología de limpieza de cavidades in situ con detección de puntos finales
• Hay una variedad de electrodos puestos a tierra disponibles.

El electrodo superior optimizado, que trabaja en condiciones de alto voltaje, alta potencia de RF y alto flujo, puede acelerar la tasa de deposición de SiO2, Si3N4, SiON y Si amorfo al tiempo que garantiza el rendimiento de la película y la uniformidad de la oblea.

El dispositivo de gas de proceso RF, con el diseño de suministro de gas correspondiente, proporciona un proceso de plasma uniforme a través del interruptor LF/RF, controlando así con precisión la tensión de la película.

Deposición química en fase de vapor mediante plasma acoplado inductivamente (ICP/CVD)

El módulo de proceso ICP/CVD se utiliza para depositar películas delgadas de alta calidad utilizando plasma de alta densidad a baja presión y temperatura de deposición.

Características del ICP/CVD:

• Deposición de película de baja temperatura, bajos daños y alta calidad.
• Se pueden depositar películas de bajo daño a temperaturas más bajas, incluidas: SiO₂, Ya sea ₃N4, SiON, Si, SiC y la temperatura del sustrato puede ser tan baja como 20 °C.
• El tamaño de la fuente ICP es de 300 mm, lo que puede lograr una uniformidad de proceso de hasta obleas de 200 mm.
• El rango de temperatura del electrodo es de -150 °C a 400 °C.
• Tecnología de limpieza de cavidades in situ con detección de puntos finales.