Soluzioni per processi di deposizione e incisione al plasma Italia

Acquaforte:

Per i processi di incisione sono disponibili due elettrodi:

■ Elettrodo con ampio intervallo di temperatura (da -150°C a +400°C), raffreddato da azoto liquido, refrigerante a circolazione liquida o resistenza a temperatura variabile. Unità opzionale di spurgo e scambio liquido per commutare automaticamente la modalità di processo.

■ Elettrodo controllato da liquido alimentato da unità di raffreddamento circolante.

Deposizione:

Sono disponibili due elettrodi per la selezione del processo di deposizione:

• Gli elettrodi ICP CVD forniscono film di alta qualità coltivati ​​da temperatura ambiente a 250°C.
• Le apparecchiature PECVD possono essere configurate con elettrodi riscaldanti resistivi, con una temperatura massima di 400°C.

Attacco con ioni reattivi (RIE)

RIE è una soluzione di incisione al plasma semplice ed economica, con applicazioni comuni quali l'incisione con maschera e l'analisi dei guasti.

Caratteristiche RIE:

• Generatore RF allo stato solido e rete di adattamento strettamente accoppiata per un'incisione rapida e sincrona.
• L'ingresso del gas di spruzzatura su tutta la superficie assicura una distribuzione uniforme del gas.
• L'intervallo di temperatura dell'elettrodo è compreso tra -150℃ e +400℃.
• L'elevata capacità di pompaggio garantisce una finestra di pressione di processo più ampia.
• Piastra di pressione wafer con raffreddamento posteriore ad elio per un controllo ottimale della temperatura del wafer.

Incisione al plasma accoppiato induttivamente (ICP)

La sorgente di incisione ICP produce ioni reattivi attivi ad alta densità a bassa pressione.

Caratteristiche dell'incisione ICP:

• Collegare la camera tramite un percorso uniforme ad alta conduttanza per fornire particelle reattive al substrato, utilizzando processi ad alto flusso di gas mantenendo al contempo una bassa pressione del gas.
• Gli elettrodi sono adatti a temperature comprese tra -150℃ e +400℃ e sono dotati di raffreddamento posteriore ad elio e di una serie di piastre di pressione meccanica.
• Sistemi di controllo e hardware di qualità superiore per soddisfare le esigenze dei processi di incisione rapidi, come i processi Bosch.
• Forniamo sorgenti di incisione da 60 e 250 mm per soddisfare diverse dimensioni di wafer e rapporti radicali/ioni e soddisfare in modo flessibile i requisiti di processo.

Deposizione chimica da vapore potenziata al plasma (PECVD):

I moduli di processo PECVD sono specificamente progettati per produrre film sottili con eccellente uniformità ed elevati tassi di deposizione e per modificare le proprietà dei materiali dei film, come indice di rifrazione, stress, proprietà elettriche e velocità di incisione a umido.

Caratteristiche PECVD:

• Tecnologia di pulizia delle cavità in situ con rilevamento degli endpoint
• Sono disponibili vari elettrodi di messa a terra

L'elettrodo superiore ottimizzato, lavorando in condizioni di alta tensione, elevata potenza RF e flusso elevato, può accelerare la velocità di deposizione di SiO2, Si3N4, SiON e Si amorfo, garantendo al contempo le prestazioni della pellicola e l'uniformità del wafer.

Il dispositivo di processo a gas RF, con la relativa progettazione dell'erogazione del gas, garantisce un processo al plasma uniforme tramite l'interruttore LF/RF, controllando così con precisione lo stress della pellicola.

Deposizione chimica da vapore al plasma accoppiato induttivamente (ICP/CVD)

Il modulo di processo ICP/CVD viene utilizzato per depositare film sottili di alta qualità mediante plasma ad alta densità a bassa pressione e temperatura di deposizione.

Caratteristiche ICP/CVD:

• Bassa temperatura, basso danno, deposizione di pellicole di alta qualità.
• I film a basso danno possono essere depositati a temperature più basse, tra cui: SiO₂, Sì ₃N4, SiON, Si, SiC e la temperatura del substrato può arrivare fino a 20°C.
• La dimensione della sorgente ICP è di 300 mm, il che consente di ottenere uniformità di processo fino a wafer da 200 mm.
• L'intervallo di temperatura dell'elettrodo è compreso tra -150°C e 400°C.
• Tecnologia di pulizia delle cavità in situ con rilevamento del punto finale.