რა არის სწრაფი თერმული დამუშავების (RTP) სისტემის დანიშნულება ვაფლის წარმოების პროცესში? საქართველო

RTP იყენებს ჰალოგენურ ინფრაწითელ ნათურებს, როგორც სითბოს წყაროს, რათა სწრაფად გააცხელოს მასალა სასურველ ტემპერატურამდე, რითაც აუმჯობესებს მასალის კრისტალურ სტრუქტურას და ოპტოელექტრონულ თვისებებს.

მისი მახასიათებლებია მაღალი ეფექტურობა, ენერგიის დაზოგვა, ავტომატიზაციის მაღალი ხარისხი და ერთიანი გათბობა.

გარდა ამისა, RTP-ს ასევე აქვს მაღალი ტემპერატურის კონტროლის სიზუსტე და ტემპერატურის ერთგვაროვნება, რომელსაც შეუძლია დააკმაყოფილოს სხვადასხვა რთული პროცესის საჭიროებები.

გარდა ამისა, RTP იღებს მოწინავე მიკროკომპიუტერის კონტროლის სისტემას და PID დახურული მარყუჟის ტემპერატურის კონტროლის ტექნოლოგიას, მას აქვს მაღალი ტემპერატურის კონტროლის სიზუსტე და ტემპერატურის ერთგვაროვნება და შეუძლია დააკმაყოფილოს სხვადასხვა რთული პროცესების საჭიროებები.

ეფექტური სითბოს წყაროების გამოყენებით, როგორიცაა ჰალოგენური ინფრაწითელი ნათურები, ვაფლის სწრაფად გასათბობად წინასწარ განსაზღვრულ ტემპერატურამდე, შესაძლებელია ვაფლის შიგნით არსებული ზოგიერთი დეფექტის აღმოფხვრა და მისი კრისტალური სტრუქტურისა და ოპტოელექტრონული მუშაობის გაუმჯობესება.

ეს მაღალი სიზუსტის ტემპერატურის კონტროლი ძალიან მნიშვნელოვანია ვაფლის ხარისხისთვის და შეუძლია ეფექტურად გააუმჯობესოს ვაფლის მუშაობა და საიმედოობა.

ვაფლის დამზადების პროცესში, RTP-ის გამოყენება მოიცავს, მაგრამ არ შემოიფარგლება შემდეგ ასპექტებზე:

1. კრისტალური სტრუქტურის ოპტიმიზაცია:

მაღალი ტემპერატურა ხელს უწყობს ბროლის სტრუქტურის გადაკეთებას, აღმოფხვრის კრისტალური სტრუქტურის დეფექტებს, აუმჯობესებს ბროლის მოწესრიგებას და ამით აუმჯობესებს ნახევარგამტარული მასალების ელექტროგამტარობას.

2. მინარევების მოცილება:

RTP-ს შეუძლია ხელი შეუწყოს მინარევების გავრცელებას ნახევარგამტარული კრისტალებიდან, ამცირებს მინარევების კონცენტრაციას. ეს ხელს უწყობს ნახევარგამტარული მოწყობილობების ელექტრონული თვისებების გაუმჯობესებას და ენერგიის დონის ან მინარევებით გამოწვეული ელექტრონების გაფანტვის შემცირებას.

3. CMOS ტექნოლოგიაში, RTP შეიძლება გამოყენებულ იქნას სუბსტრატის მასალების მოსაშორებლად, როგორიცაა სილიციუმის ოქსიდი ან სილიციუმის ნიტრიდი, რათა შეიქმნას ულტრა თხელი SOI (იზოლატორი სილიკონზე).

RTP არის საკვანძო მოწყობილობა ნახევარგამტარების წარმოების პროცესში, რომელიც ხასიათდება მაღალი სიზუსტით, მაღალი ეფექტურობით და მაღალი მოქნილობით. მას დიდი მნიშვნელობა აქვს ვაფლის მუშაობის გასაუმჯობესებლად და ნახევარგამტარული ინდუსტრიის განვითარების ხელშეწყობისთვის.