Soluções de processo de deposição e gravação de plasma

Gravura:

Dois eletrodos estão disponíveis para processos de gravação:

■ Eletrodo com ampla faixa de temperatura (-150°C a +400°C), resfriado por nitrogênio líquido, refrigerante circulante líquido ou resistor de temperatura variável. Unidade de purga e troca de líquido opcional para alternar automaticamente o modo de processo.

■ Eletrodo controlado por líquido fornecido pela unidade de resfriamento circulante.

Deposição:

Dois eletrodos estão disponíveis para seleção do processo de deposição:

• Os eletrodos CVD ICP fornecem filmes de alta qualidade cultivados desde a temperatura ambiente até 250°C.
• Os equipamentos PECVD podem ser configurados com eletrodos de aquecimento resistivos, com temperatura máxima de 400°C.

Gravação de íons reativos (RIE)

RIE é uma solução de gravação de plasma simples e econômica, com aplicações comuns, como gravação de máscara e análise de falhas.

Características do RIE:

• Gerador de RF de estado sólido e rede de correspondência fortemente acoplada para gravação rápida e síncrona.
• A entrada de gás de pulverização em toda a área garante uma distribuição uniforme do gás.
• A faixa de temperatura do eletrodo é de -150℃ a +400℃.
• A forte capacidade de bombeamento proporciona uma janela de pressão de processo mais ampla.
• Placa de pressão do wafer com resfriamento traseiro de hélio para controle ideal da temperatura do wafer.

Gravação de Plasma Indutivamente Acoplado (ICP)

A fonte de corrosão ICP produz íons reativos ativos de alta densidade em baixa pressão.

Características da gravação ICP:

• Conecte a câmara por meio de um caminho uniforme de alta condutância para fornecer partículas reativas ao substrato, usando processos de alto fluxo de gás e mantendo baixa pressão de gás.
• Os eletrodos são adequados para temperaturas que variam de -150℃ a +400℃, equipados com resfriamento traseiro de hélio e uma série de designs de placas de pressão mecânica.
• Hardware e sistemas de controle superiores para atender às necessidades de processos de gravação rápida, como os processos da Bosch.
• Fornece fontes de gravação de 60 e 250 mm para atender a diferentes tamanhos de wafer e proporções de radicais/íons, além de corresponder com flexibilidade aos requisitos do processo.

Deposição química de vapor aprimorada por plasma (PECVD):

Os módulos de processo PECVD são projetados especificamente para produzir filmes finos com excelente uniformidade e altas taxas de deposição, e para modificar as propriedades do material dos filmes, como índice de refração, estresse, propriedades elétricas e taxas de corrosão úmida.

Características do PECVD:

• Tecnologia de limpeza de cavidades in situ com detecção de ponto final
• Uma variedade de eletrodos aterrados estão disponíveis

O eletrodo superior otimizado, trabalhando sob alta tensão, alta potência de RF e condições de alto fluxo, pode acelerar a taxa de deposição de SiO2, Si3N4, SiON e Si amorfo, garantindo ao mesmo tempo o desempenho do filme e a uniformidade do wafer.

O dispositivo de gás de processo RF, com design de fornecimento de gás correspondente, fornece um processo de plasma uniforme por meio da chave LF/RF, controlando assim com precisão o estresse do filme.

Deposição química de vapor de plasma indutivamente acoplado (ICP / CVD)

O módulo de processo ICP/CVD é usado para depositar filmes finos de alta qualidade usando plasma de alta densidade em baixa pressão e temperatura de deposição.

Características do ICP/CVD:

• Baixa temperatura, baixo dano, deposição de filme de alta qualidade.
• Películas de baixo dano podem ser depositadas em temperaturas mais baixas, incluindo: SiO₂, E ₃N4, SiON, Si, SiC e a temperatura do substrato pode ser tão baixa quanto 20°C.
• O tamanho da fonte ICP é de 300 mm, o que pode atingir uniformidade de processo em wafers de até 200 mm.
• A faixa de temperatura do eletrodo é de -150°C a 400°C.
• Tecnologia de limpeza de cavidades in situ com detecção de ponto final.